EFMAF230 时间：2025/8/13 10:09:35 阅读：5

EFMAF230是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）推出的双极型晶体管（BJT），主要用于高频放大和开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有良好的高频性能和稳定性，适用于无线通信、射频（RF）电路以及高速开关电路等领域。EFMAF230属于NPN型晶体管，具有较高的电流增益和较低的噪声系数，适合用于前端信号放大和低噪声应用。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：250MHz
　　噪声系数（NF）：0.5dB（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

EFMAF230是一款高性能的NPN型双极晶体管，专为高频和低噪声应用而设计。该器件在高频下的性能稳定，能够有效放大射频信号并保持较低的噪声水平，使其成为通信系统和射频模块的理想选择。
　　该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，可根据不同的工作条件提供从110到800的增益值，确保在多种电路设计中具备良好的适应性。此外，EFMAF230的工作频率可达250MHz，适用于高频放大器、混频器和振荡器等电路。
　　其封装形式为SOT-23，体积小巧，便于在紧凑的PCB布局中使用，同时具备良好的热稳定性和可靠性。EFMAF230的低噪声系数（典型值为0.5dB）使其特别适用于低噪声前置放大器的设计，能够显著提升信号接收的清晰度和灵敏度。
　　在应用中，该晶体管还表现出优异的开关特性，能够快速响应输入信号的变化，适用于数字开关电路和脉冲放大电路。同时，其最大集电极-发射极电压为30V，最大集电极电流为100mA，能够在较宽的电压和电流范围内稳定工作。