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2SK1917-MR 发布时间 时间:2025/8/9 12:12:30 查看 阅读:14

2SK1917-MR 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高频和高功率应用。该器件采用小型SOP(Small Outline Package)封装,适合用于开关电源、DC-DC转换器、马达驱动器和各类功率电子设备中。该MOSFET具有较低的导通电阻(Rds(on)),可在高频率下高效运行,并具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):4A
  导通电阻(Rds(on)):最大0.55Ω @ Vgs=10V
  功率耗散(Pd):1.25W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:SOP-8

特性

2SK1917-MR 具备多项优异特性,适用于多种功率电子应用。首先,其低导通电阻(Rds(on))特性使得在高电流条件下也能保持较低的功率损耗,从而提高系统效率并减少发热。该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持从4.5V至10V的栅极驱动,适用于多种类型的MOSFET驱动器。
  其次,该MOSFET具有较高的开关速度,适用于高频开关电路,如DC-DC转换器和同步整流器。其SOP-8封装结构不仅节省空间,还便于自动化装配,提高了生产效率。此外,该器件具备良好的热稳定性,在高温环境下依然能保持稳定的电气性能,适用于工业级和车载电子系统。
  在可靠性方面,2SK1917-MR 通过了严格的工业标准测试,包括高温高湿条件下的稳定性测试,确保其在恶劣环境下也能长期稳定运行。该器件还具有一定的抗静电能力(ESD保护),可防止在操作和安装过程中因静电放电而导致的损坏。

应用

2SK1917-MR 主要应用于需要高效能、小体积和高频响应的电子系统中。在电源管理领域,它广泛用于DC-DC降压/升压转换器、开关电源(SMPS)和负载开关控制。由于其低导通电阻和高开关速度,特别适合用于便携式设备的电源管理系统,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
  此外,该MOSFET也适用于马达控制电路,如小型无刷直流马达驱动器和电动工具控制模块。在汽车电子领域,2SK1917-MR 可作为LED车灯驱动、车载充电器和电池管理系统中的关键开关元件。工业自动化设备中的传感器电源管理、PLC(可编程逻辑控制器)输出控制等场合也常见其身影。
  由于其SOP-8封装尺寸小巧,也适合用于空间受限的电路设计,例如智能电表、物联网设备和嵌入式控制系统。

替代型号

2SK2013-MR, 2SK3018-MR

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