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SSS2N7002E 发布时间 时间:2025/8/22 4:24:48 查看 阅读:19

SSS2N7002E是一款由Sanken Electric Co., Ltd制造的N沟道增强型MOSFET,广泛用于电源管理和开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性,适用于各种消费电子和工业设备。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大漏极电流(Id):170mA(在Vgs=10V时)
  导通电阻(Rds(on)):约5Ω(在Vgs=10V时)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):1V至3V
  最大功耗(Pd):300mW
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:SOT-23

特性

SSS2N7002E具有多种优异特性,使其在众多MOSFET中脱颖而出。首先,其低导通电阻确保在导通状态下具有较低的功率损耗,从而提高整体效率。其次,该器件的高耐压能力(60V)使其能够承受较高的电压应力,适用于多种中高压开关应用。
  此外,SSS2N7002E采用了SOT-23封装,体积小巧,适合在空间受限的PCB设计中使用。这种封装形式还具备良好的散热性能,有助于维持器件在高负载条件下的稳定性。
  该MOSFET的栅极阈值电压范围为1V至3V,使得其可以与多种驱动电路兼容,包括低电压逻辑控制器(如微控制器)。这一特性使其在便携式电子设备中尤为适用。
  同时,SSS2N7002E具备良好的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下稳定运行,适用于工业级和汽车电子系统。

应用

SSS2N7002E广泛应用于多个领域,包括但不限于:
  ? 电源管理:用于DC-DC转换器、电池充电器和负载开关等应用。
  ? 信号开关:适用于需要低电流开关控制的模拟和数字电路。
  ? 传感器接口:用于控制传感器电源或信号路径的通断。
  ? 便携式设备:由于其低功耗和小型封装,适合用于手机、平板电脑和可穿戴设备。
  ? 工业控制系统:用于继电器驱动、LED控制和小型电机驱动等场合。

替代型号

2N7002, BSS138, 2N7000, IRLML2502, FDV301N

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