SSS2N7002E 时间：2025/8/22 4:24:48 阅读：27

SSS2N7002E是一款由Sanken Electric Co., Ltd制造的N沟道增强型MOSFET，广泛用于电源管理和开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于各种消费电子和工业设备。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大漏极电流（Id）：170mA（在Vgs=10V时）
　　导通电阻（Rds(on)）：约5Ω（在Vgs=10V时）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1V至3V
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

SSS2N7002E具有多种优异特性，使其在众多MOSFET中脱颖而出。首先，其低导通电阻确保在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高整体效率。其次，该器件的高耐压能力（60V）使其能够承受较高的电压应力，适用于多种中高压开关应用。
　　此外，SSS2N7002E采用了SOT-23封装，体积小巧，适合在空间受限的PCB设计中使用。这种封装形式还具备良好的散热性能，有助于维持器件在高负载条件下的稳定性。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围为1V至3V，使得其可以与多种驱动电路兼容，包括低电压逻辑控制器（如微控制器）。这一特性使其在便携式电子设备中尤为适用。
　　同时，SSS2N7002E具备良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定运行，适用于工业级和汽车电子系统。

应用

SSS2N7002E广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　? 电源管理：用于DC-DC转换器、电池充电器和负载开关等应用。
　　? 信号开关：适用于需要低电流开关控制的模拟和数字电路。
　　? 传感器接口：用于控制传感器电源或信号路径的通断。
　　? 便携式设备：由于其低功耗和小型封装，适合用于手机、平板电脑和可穿戴设备。
　　? 工业控制系统：用于继电器驱动、LED控制和小型电机驱动等场合。