类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：1000V
　　最大漏极电流（Id）：10A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.82Ω（最大值，Vgs=10V）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V～4.0V
　　最大栅极电压（Vgs）：±30V
　　最大功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C～+150°C
　　封装形式：TO-220、TO-3P等

EF10A40具有多项优异的电气和热性能，适用于高功率和高可靠性要求的场合。其主要特性包括：低导通电阻，可减少导通损耗，提高系统效率；高耐压能力（1000V Vds），使其适用于高压电源转换系统；采用先进的沟槽式结构，优化了开关性能，降低了开关损耗；具有良好的热稳定性，可在高温环境下稳定工作；封装形式多样，便于安装和散热设计，适合工业应用中的大批量生产需求。
　　此外，EF10A40还具备较强的抗雪崩能力和抗短路能力，有助于提高系统的安全性和可靠性。该器件的栅极驱动电压范围较宽（±30V），兼容多种驱动电路设计，方便用户灵活使用。其低栅极电荷（Qg）也有助于提高开关速度，减少动态损耗。这些特性使得EF10A40成为工业电源、LED驱动、太阳能逆变器、电机控制等领域的理想选择。

EF10A40主要用于各类高电压、高电流的开关应用。常见应用包括：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、LED照明驱动电源、工业自动化设备的电机控制电路、太阳能逆变器、UPS不间断电源系统、电池管理系统（BMS）以及电动工具和电动车的功率控制模块等。由于其高耐压和较好的热稳定性，EF10A40也适用于需要长期运行在恶劣环境中的工业控制系统。

STP10NM60ND, FQA10N80, IRF840, FDPF10N80