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GA0603Y823JBJAT31G 发布时间 时间:2025/6/4 19:40:44 查看 阅读:6

GA0603Y823JBJAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于高频开关应用和电源管理领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力,能够显著提升电路效率并减少能耗。
  这款功率MOSFET适用于广泛的工业和消费类电子应用,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。

参数

类型:N沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压Vds:60V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  持续漏极电流Id:30A
  导通电阻Rds(on):3mΩ
  栅极电荷Qg:45nC
  总电容Ciss:1290pF
  开关频率:高达500kHz
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低导通损耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷,适合高频应用。
  3. 高额定电流和耐压能力,能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
  4. 紧凑的封装设计,便于在空间受限的应用中使用。
  5. 广泛的工作温度范围,适应多种环境条件下的操作需求。
  6. 出色的热性能表现,支持更高的功率密度。

应用

1. 开关电源(Switching Mode Power Supplies, SMPS)
  2. DC-DC转换器中的同步整流
  3. 电机驱动与控制
  4. 负载开关和保护电路
  5. 工业自动化设备中的电源管理模块
  6. 电动汽车及混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)

替代型号

IRF640N
  STP30NF06L
  FDP30N06L

GA0603Y823JBJAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.082 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-