时间：2025/8/2 4:55:04
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HM110N03D是一款由Hymson Semiconductor（海矽美半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频率的功率转换应用设计，具有低导通电阻、高可靠性和优异的热稳定性。这款MOSFET通常用于电源管理、DC-DC转换器、电池管理系统以及电机控制等领域。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：110A
导通电阻(Rds(on))：3.2mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
HM110N03D具备极低的导通电阻，这使得在大电流工作条件下，功率损耗大大降低，从而提高了整体系统的效率。
该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，优化了开关性能，使其适用于高频开关应用。
HM110N03D的封装设计（TO-252）提供了良好的热管理能力，有助于快速散热，确保器件在高负载下依然保持稳定工作状态。
该MOSFET具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在异常工作条件下的可靠性。
此外，HM110N03D的栅极驱动电压范围较宽，兼容标准的10V和12V驱动电路，便于在多种电路设计中使用。
HM110N03D广泛应用于各种电源管理系统，如同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、负载开关和电源分配系统。
由于其高电流能力和低导通电阻，该器件非常适合用于高性能计算设备、服务器电源、工业自动化设备以及电动工具和电动车的电机控制系统。
同时，该MOSFET也适用于电池管理系统（BMS），能够有效提高电池充放电效率和安全性。
其优异的热性能和可靠性也使其成为汽车电子系统中关键功率元件的理想选择。
SiR110DP-T1-GE3, FDS110N30A, AO110N30C, IPP110N30N
