类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-220/TO-220F
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：4A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：16A
　　功耗（Pd）：50W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值2.2Ω（@Vgs=10V）
　　阈值电压（Vth）：2~4V
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　输入电容（Ciss）：约600pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：约150pF（@Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：约75ns

FHF4N60A具有优异的高压阻断能力和良好的热稳定性，其600V的漏源击穿电压使其能够安全地应用于市电整流后的高压环境中，例如220V AC输入的开关电源系统。该器件在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，得益于其优化的晶圆制造工艺和封装散热设计，能够在150℃的最大结温下长期工作。FHF4N60A的导通电阻控制在较低水平，典型值为2.2Ω，在Vgs=10V条件下可实现较小的导通损耗，从而提高电源系统的整体效率。该MOSFET具备较快的开关速度，输入和输出电容较小，有利于减少驱动电路的能量消耗，并提升高频工作的可行性。其栅极阈值电压在2~4V之间，兼容标准逻辑电平驱动信号，便于与PWM控制器直接连接而无需额外的电平转换电路。此外，该器件内置的体二极管具有较短的反向恢复时间（约75ns），有效降低了在硬开关拓扑中因反向恢复引起的尖峰电压和开关损耗，提升了系统的可靠性。FHF4N60A还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下提供一定的自我保护能力。该器件采用TO-220封装，具有良好的机械强度和散热性能，可通过加装散热片进一步提升功率承载能力。整体而言，FHF4N60A在成本、性能和可靠性之间取得了良好平衡，适用于对性价比要求较高的中低端电源产品。
　　FHF4N60A在生产过程中遵循严格的质量管理体系，确保批次一致性高，适合自动化贴片生产线使用。其无铅环保设计符合现代电子产品对环境友好材料的要求，支持回流焊和波峰焊等多种焊接方式。该MOSFET经过多项可靠性测试验证，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）以及温度循环测试，保证了长期运行的稳定性。此外，FHF4N60A在电磁兼容性方面也有良好表现，有助于降低系统级EMI滤波设计难度。对于工程师而言，该器件提供了清晰的数据手册支持，包含详细的电气特性曲线、热阻参数及应用建议，便于进行电源拓扑设计和热管理计算。由于其广泛应用基础，市场上存在成熟的替代方案和技术支持资源，进一步增强了其工程实用性。

FHF4N60A主要用于各类中低功率开关电源系统中，典型应用场景包括AC-DC适配器、手机充电器、LED照明驱动电源、小型家电电源模块以及工业控制设备的辅助电源单元。在反激式（Flyback）拓扑结构中，FHF4N60A常作为主开关管使用，负责将高压直流电周期性地导入变压器初级绕组，实现能量传递与电压变换。由于其具备600V的耐压能力，特别适用于全球通用输入电压范围（85~265V AC）的电源设计，能够在最恶劣的输入条件下仍保持安全裕量。在LED恒流驱动电路中，该器件可用于隔离式或非隔离式降压/升压拓扑，配合专用控制芯片实现高效稳定的电流输出。此外，FHF4N60A也适用于太阳能微型逆变器、UPS不间断电源的小功率机型以及电机控制中的低压直流侧开关应用。在待机电源（Standby Power Supply）设计中，由于其低静态功耗和高效率特性，有助于满足能源之星（Energy Star）等能效认证要求。该器件还可用于电池充电管理系统中的高压侧开关，控制充放电通路的通断。在智能电表、网络通信设备（如路由器、交换机）的内置电源模块中，FHF4N60A因其高可靠性与紧凑封装而被广泛采用。考虑到其TO-220封装便于手工焊接与维修，也适合教育实验平台和原型开发项目使用。总体来看，FHF4N60A凭借其高压耐受能力、合理的导通电阻和成熟的应用生态，成为众多嵌入式电源解决方案中的关键元器件之一。

KIA4N60A
　　STF4N60A
　　FQP4N60A
　　IRFBC40