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EEEFK1V221P 发布时间 时间:2025/6/26 18:05:10 查看 阅读:22

EEEFK1V221P是一款高性能的功率MOSFET器件,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率转换的场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功耗并提升系统效率。
  EEEFK1V221P为N沟道增强型MOSFET,其封装形式通常为TO-220或TO-252(DPAK),具体需根据实际产品规格确认。该器件在高频开关应用中表现出色,同时具备良好的热性能。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:34A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:7nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

EEEFK1V221P的核心特性包括:
  1. 极低的导通电阻(1.8mΩ),显著减少导通损耗。
  2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 高电流承载能力(34A),适用于大功率电路设计。
  4. 良好的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。
  5. 高可靠性设计,满足严苛工业标准要求。
  6. 具备短路保护和过温保护功能,增强系统安全性。

应用

EEEFK1V221P主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器中的同步整流管。
  3. 电机驱动电路中的功率输出级。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  5. 各类工业控制设备中的功率开关组件。
  6. 汽车电子系统中的高可靠性功率模块。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5500
  STP36NF06L

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EEEFK1V221P参数

  • 安装类型表面
  • 容差±20%
  • 容差 正+20%
  • 容差 负-20%
  • 寿命时间2000h
  • 封装/外壳F
  • 尺寸8 Dia. x 10.2mm
  • 引线直径0.9mm
  • 引线节距3.1mm
  • 最低工作温度-55°C
  • 最高工作温度+105°C
  • 泄漏电流77 μA
  • 电压35 V
  • 电容值220μF
  • 直径8mm
  • 纹波电流600mA
  • 结构金属罐
  • 高度10.2mm