时间：2025/8/15 2:17:25
阅读：4
PJE24HWS T/R是一款由PanJit（强茂）公司制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高频率开关应用而设计，具有优异的热性能和耐用性，适用于电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等场景。PJE24HWS T/R采用SOT-223封装，适合表面贴装工艺，具有良好的电气特性和散热性能。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：20V
最大连续漏极电流(Id)：5.6A
导通电阻(Rds(on))：约0.045Ω @ Vgs = 10V
功率耗散(Pd)：2W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-223
PJE24HWS T/R具有低导通电阻，使其在高电流条件下能够保持较低的导通损耗，从而提升系统效率。其SOT-223封装提供了良好的热管理能力，有助于在高功率密度设计中维持稳定的运行温度。此外，该MOSFET具有快速开关特性，适合高频开关应用，如同步整流器和DC-DC转换器。
器件的栅极驱动要求较低，可在常见的逻辑电平（如5V或10V）下完全导通，提高了其在数字控制电源设计中的适用性。同时，PJE24HWS T/R具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态过压情况下的可靠性。
该MOSFET还具备出色的抗短路能力，适用于对系统稳定性有较高要求的应用场景。在制造工艺上，采用了先进的沟槽式技术，使得器件在保持高性能的同时，具有更小的芯片尺寸，进一步优化了空间利用率和成本控制。
PJE24HWS T/R广泛应用于各类电源管理系统中，包括但不限于便携式电子设备、笔记本电脑、服务器电源、电池充电器以及DC-DC转换器模块。此外，该器件也可用于电机驱动、LED照明控制以及工业自动化设备中的负载开关电路。
由于其优异的开关性能和热管理能力，PJE24HWS T/R也适用于需要高效率和高稳定性的汽车电子系统，如车载充电器、电动工具以及车载逆变器等应用场景。
Si2302DS T1-GE3, FDS6680, AO4406A
