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H9TKNNN4KDMPRR-NYM 发布时间 时间:2025/9/2 7:40:31 查看 阅读:7

H9TKNNN4KDMPRR-NYM 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛用于高端计算设备、服务器、网络设备和嵌入式系统中。这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺,具有高容量、低功耗和高速数据传输的特点。其封装形式为BGA(球栅阵列封装),适用于紧凑型设计的电路板。H9TKNNN4KDMPRR-NYM 通常用于需要大量数据处理和存储能力的场景,例如图形处理、数据中心和高性能计算(HPC)等领域。

参数

容量:4GB
  电压:1.2V
  封装类型:BGA
  数据速率:3200Mbps
  接口类型:x16
  工作温度:-40°C至+85°C

特性

H9TKNNN4KDMPRR-NYM 的核心优势在于其卓越的性能和可靠性。首先,它采用了LPDDR4(低功耗双倍数据速率第四代)技术,能够在较低的电压下提供高速数据传输能力,支持高达3200Mbps的数据速率。这种高速度使得该芯片能够满足高性能计算和实时数据处理的需求。
  其次,该芯片的封装形式为BGA,具有较小的封装尺寸和良好的电气性能,有助于提高PCB布局的灵活性和电路板的稳定性。BGA封装还提供了更好的散热性能,确保在高负载运行时仍能保持稳定的温度。
  此外,H9TKNNN4KDMPRR-NYM 支持多种低功耗模式,包括深度掉电模式(Deep Power Down Mode)和自刷新模式(Self-Refresh Mode),能够有效降低能耗,延长设备的电池寿命。这种特性使其非常适合用于移动设备、笔记本电脑和对功耗敏感的应用场景。
  最后,该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于各种严苛的环境条件,确保在极端温度下依然能够稳定运行。

应用

H9TKNNN4KDMPRR-NYM 主要应用于高性能计算设备、服务器、网络设备、图形处理单元(GPU)、工业控制系统以及高端嵌入式系统。由于其高速数据传输能力和低功耗设计,该芯片也常用于移动设备和便携式电子产品中,如智能手机、平板电脑和超极本。此外,它还适用于需要大量数据存储和快速访问的边缘计算设备和AI加速器。

替代型号

H9TCNNN8GAMUDR-NYM, H9TPNNL8GDLCPR-NEC

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