时间：2025/9/2 7:40:31
阅读：24
H9TKNNN4KDMPRR-NYM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片，广泛用于高端计算设备、服务器、网络设备和嵌入式系统中。这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺，具有高容量、低功耗和高速数据传输的特点。其封装形式为BGA（球栅阵列封装），适用于紧凑型设计的电路板。H9TKNNN4KDMPRR-NYM 通常用于需要大量数据处理和存储能力的场景，例如图形处理、数据中心和高性能计算（HPC）等领域。
容量：4GB
电压：1.2V
封装类型：BGA
数据速率：3200Mbps
接口类型：x16
工作温度：-40°C至+85°C
H9TKNNN4KDMPRR-NYM 的核心优势在于其卓越的性能和可靠性。首先，它采用了LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）技术，能够在较低的电压下提供高速数据传输能力，支持高达3200Mbps的数据速率。这种高速度使得该芯片能够满足高性能计算和实时数据处理的需求。
其次，该芯片的封装形式为BGA，具有较小的封装尺寸和良好的电气性能，有助于提高PCB布局的灵活性和电路板的稳定性。BGA封装还提供了更好的散热性能，确保在高负载运行时仍能保持稳定的温度。
此外，H9TKNNN4KDMPRR-NYM 支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式（Deep Power Down Mode）和自刷新模式（Self-Refresh Mode），能够有效降低能耗，延长设备的电池寿命。这种特性使其非常适合用于移动设备、笔记本电脑和对功耗敏感的应用场景。
最后，该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种严苛的环境条件，确保在极端温度下依然能够稳定运行。
H9TKNNN4KDMPRR-NYM 主要应用于高性能计算设备、服务器、网络设备、图形处理单元（GPU）、工业控制系统以及高端嵌入式系统。由于其高速数据传输能力和低功耗设计，该芯片也常用于移动设备和便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和超极本。此外，它还适用于需要大量数据存储和快速访问的边缘计算设备和AI加速器。
H9TCNNN8GAMUDR-NYM, H9TPNNL8GDLCPR-NEC
