时间：2025/5/27 9:38:11
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NTLJS2103PTBG 是一款由 ON Semiconductor 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。
该 MOSFET 的封装形式为 PTBG（PowerTrench? 封装），能够在高频和高电流应用中提供优异的性能表现。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：47A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：78nC
总电容：1340pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
NTLJS2103PTBG 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，适用于高频电源转换应用。
3. 强大的热性能设计，确保在高负载条件下稳定运行。
4. 支持大电流操作，适合工业级和汽车级应用。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠性高。
6. 耐雪崩能力出色，增强了器件在异常情况下的保护性能。
这款 MOSFET 广泛用于以下应用场景：
1. DC-DC 转换器和升压/降压模块。
2. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
3. 电动工具、电机驱动和其他大功率消费类电子产品。
4. 新能源领域如太阳能逆变器和储能系统。
5. 工业自动化设备及各类功率管理电路。
6. 汽车电子系统，例如电池管理系统（BMS）和启动停止系统。
NTMFS4C620N, FDP5550, IRF3205
