型号：EE-TP105X
　　制造商：Everspin Technologies
　　存储容量：1 Mbit (128 K × 8)
　　接口类型：SPI（四线制，支持模式0和3）
　　工作电压：2.7 V 至 3.6 V
　　最大时钟频率：40 MHz
　　写入耐久性：> 10^15 次写入周期
　　数据保持时间：> 20 年 @ 85°C
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：8-pin SOIC（窄体）
　　非易失性：是
　　写入时间：典型值 35 ns（字节写入）
　　读取时间：典型值 35 ns（随机访问）
　　待机电流：< 10 μA @ 3.3 V

EE-TP105X的核心技术基于自旋转移矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM），其存储单元由磁性隧道结（MTJ）构成，通过电子自旋方向控制电阻状态来实现数据的0和1表示。这种物理机制使得该芯片具备真正的非易失性，在电源完全中断的情况下依然能够长期保存数据，且不会因频繁写入导致存储介质磨损。与传统的EEPROM或Flash相比，EE-TP105X无需预擦除步骤即可直接写入任意地址，显著降低了写入延迟并提高了系统效率。其纳秒级的读写速度接近SRAM水平，远超NAND或NOR Flash，特别适合用于记录实时事件日志、配置参数更新、工业控制状态保存等对响应时间要求极高的场合。
　　该芯片支持标准SPI通信协议，兼容广泛使用的微控制器和处理器，简化了系统集成过程。内部集成了写保护机制，可通过软件命令或硬件引脚（如WP#）控制，防止误写或恶意篡改。同时，EE-TP105X具有极高的写入耐久性，理论可支持超过10^15次写入操作，几乎等同于“无限寿命”，彻底解决了传统非易失性存储器因写入次数限制而导致的寿命瓶颈问题。其宽温工作范围使其适用于极端环境下的应用，如车载控制系统、航空航天设备以及油田勘探仪器等。此外，由于其低功耗特性，在待机模式下电流消耗极低，有助于延长电池供电系统的运行时间。整体设计兼顾高性能、高可靠性和易用性，是现代嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案。

EE-TP105X广泛应用于对数据可靠性、写入速度和耐久性有严苛要求的领域。在工业自动化中，常用于PLC控制器、传感器节点和远程I/O模块中，用于实时保存工艺参数、故障日志和设备状态信息。在汽车电子方面，被集成于发动机控制单元（ECU）、高级驾驶辅助系统（ADAS）和车载黑匣子中，确保关键运行数据在意外断电时不会丢失。此外，在医疗设备中，如便携式监护仪和植入式器械，EE-TP105X可用于安全存储患者设置和操作记录，满足严格的合规性要求。通信基础设施中的基站和路由器也利用该芯片进行快速配置备份和固件更新缓存。军事与航空航天领域则看重其抗辐射能力和宽温稳定性，将其用于飞行控制系统和卫星数据记录器。总之，任何需要高速、非易失、高耐久存储的场景都是EE-TP105X的理想应用领域。

MR10Q001V2PBN, ST-MRAM1ME8