RF15N0R8B500 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的制造工艺以实现低导通电阻和高效率。该器件适用于多种高频开关应用,包括 DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
该芯片以其出色的热性能和电气特性著称,能够显著提高系统的整体效率并降低功耗。其封装形式通常为紧凑型表面贴装器件(SMD),便于在现代电子设备中进行高密度布局。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:27A
导通电阻(典型值):3.5mΩ
栅极电荷(典型值):48nC
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:TO-263 (DPAK)
RF15N0R8B500 的主要特点是其超低的导通电阻,仅为 3.5mΩ(典型值),这使其非常适合于需要高效功率传输的应用。
此外,该器件具有快速开关速度和较低的栅极电荷,有助于减少开关损耗。
其额定电流高达 27A,能够承受较大的负载需求,并且具备出色的热稳定性,允许长期在高温环境下运行。
由于采用了 DPAK 封装,它还拥有良好的散热性能,同时支持自动化表面贴装生产流程。
RF15N0R8B500 广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流;
2. DC-DC 转换器的核心开关元件;
3. 工业及消费类电机驱动控制;
4. 电池管理系统中的负载开关;
5. 电信设备中的高效功率管理模块;
RF15N0R8B50H, IRF1404, AO4424