您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > RF15N0R8B500

RF15N0R8B500 发布时间 时间:2025/6/28 12:52:48 查看 阅读:7

RF15N0R8B500 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的制造工艺以实现低导通电阻和高效率。该器件适用于多种高频开关应用,包括 DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
  该芯片以其出色的热性能和电气特性著称,能够显著提高系统的整体效率并降低功耗。其封装形式通常为紧凑型表面贴装器件(SMD),便于在现代电子设备中进行高密度布局。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:27A
  导通电阻(典型值):3.5mΩ
  栅极电荷(典型值):48nC
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-263 (DPAK)

特性

RF15N0R8B500 的主要特点是其超低的导通电阻,仅为 3.5mΩ(典型值),这使其非常适合于需要高效功率传输的应用。
  此外,该器件具有快速开关速度和较低的栅极电荷,有助于减少开关损耗。
  其额定电流高达 27A,能够承受较大的负载需求,并且具备出色的热稳定性,允许长期在高温环境下运行。
  由于采用了 DPAK 封装,它还拥有良好的散热性能,同时支持自动化表面贴装生产流程。

应用

RF15N0R8B500 广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流;
  2. DC-DC 转换器的核心开关元件;
  3. 工业及消费类电机驱动控制;
  4. 电池管理系统中的负载开关;
  5. 电信设备中的高效功率管理模块;

替代型号

RF15N0R8B50H, IRF1404, AO4424

RF15N0R8B500推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价