时间：2025/6/28 12:52:48
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RF15N0R8B500 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的制造工艺以实现低导通电阻和高效率。该器件适用于多种高频开关应用，包括 DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
该芯片以其出色的热性能和电气特性著称，能够显著提高系统的整体效率并降低功耗。其封装形式通常为紧凑型表面贴装器件（SMD），便于在现代电子设备中进行高密度布局。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：27A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷（典型值）：48nC
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-263 (DPAK)
RF15N0R8B500 的主要特点是其超低的导通电阻，仅为 3.5mΩ（典型值），这使其非常适合于需要高效功率传输的应用。
此外，该器件具有快速开关速度和较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗。
其额定电流高达 27A，能够承受较大的负载需求，并且具备出色的热稳定性，允许长期在高温环境下运行。
由于采用了 DPAK 封装，它还拥有良好的散热性能，同时支持自动化表面贴装生产流程。
RF15N0R8B500 广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流;
2. DC-DC 转换器的核心开关元件;
3. 工业及消费类电机驱动控制;
4. 电池管理系统中的负载开关;
5. 电信设备中的高效功率管理模块;
RF15N0R8B50H, IRF1404, AO4424
