时间：2025/8/5 14:13:36
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IXZH10N50L2A 是由 IXYS 公司生产的一款高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要设计用于需要高效率、高频率和高可靠性的应用。该器件采用了先进的高压技术，具有出色的热稳定性和导通损耗性能，适用于工业电源、电机控制、不间断电源（UPS）、焊接设备和太阳能逆变器等领域。该 MOSFET 的额定电压为 500V，最大连续漏极电流可达 12A，并具备较低的导通电阻（Rds(on)），以减少功率损耗并提高整体系统效率。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±20V
最大漏极电流（Id）：12A（在 Tc=100℃）
导通电阻（Rds(on)）：0.55Ω（最大值，@Vgs=10V）
漏极功耗（Pd）：100W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：TO-247
IXZH10N50L2A 是一款采用先进高压制造工艺的功率 MOSFET，具备卓越的热稳定性和低导通电阻特性，这使其在高频开关应用中表现出色。该器件的栅极驱动电压范围宽广，支持在 10V 以上的电压下实现最佳导通性能，从而降低了导通损耗。此外，其 TO-247 封装设计提供了良好的散热性能，有助于提高器件在高功率环境下的可靠性。
该 MOSFET 在高温环境下仍能保持稳定的运行性能，适用于需要长时间运行的工业设备和高功率系统。其内置的快速恢复二极管也进一步增强了在高频率切换应用中的性能表现，减少了开关损耗。此外，IXZH10N50L2A 还具有良好的抗雪崩击穿能力和短路耐受能力，提高了器件在恶劣工作环境下的稳定性和安全性。
由于其高性能特性和可靠的封装设计，IXZH10N50L2A 被广泛应用于各种高功率电子系统中，如大功率电源、电机控制模块、不间断电源（UPS）、逆变器以及焊接设备等。该器件的低导通电阻和高耐压特性使其成为替代传统双极型晶体管（BJT）的理想选择，在提高系统效率的同时，也简化了驱动电路的设计复杂度。
该 MOSFET 主要用于需要高功率密度和高效率的电源系统，如大功率开关电源、UPS 不间断电源、太阳能逆变器、电机控制电路、焊接设备、工业自动化设备等。此外，IXZH10N50L2A 也适用于 DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、高频感应加热系统以及电机驱动器等应用场合。
IXTH10N50L2（TO-247AC 封装类似型号）、IRF840（替代型号，参数略有差异）、STP12N50U（意法半导体的替代型号）、FQA12N50（富昌电子提供的替代型号）
