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EDZTE6111B 发布时间 时间:2025/11/8 5:55:05 查看 阅读:7

EDZTE6111B是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的齐纳二极管(Zener Diode),属于其高性能、高稳定性的表面贴装器件(SMD)系列。该器件主要用于电压参考、电压调节以及电路中的过压保护应用。EDZTE6111B采用小型化封装,典型封装形式为SOD-523,具有低功耗、快速响应和高可靠性等特点,适用于便携式电子设备、消费类电子产品以及工业控制电路等对空间和功耗要求较高的应用场景。该齐纳二极管的标称齐纳电压为11V,在额定电流条件下能够提供稳定的反向击穿电压,确保后级电路在安全电压范围内工作。此外,该器件具备良好的温度稳定性,能够在较宽的环境温度范围内保持性能的一致性。ROHM作为全球知名的半导体制造商,其生产的齐纳二极管产品线广泛,EDZTE6111B是其中针对中低压应用优化设计的一员,符合RoHS环保标准,并通过了AEC-Q101车规级认证,适用于汽车电子系统中的辅助电源管理与信号调理电路。

参数

类型:齐纳二极管
  封装:SOD-523
  齐纳电压(Vz):11V @ Iz = 5mA
  最大齐纳电压:11.6V
  最小齐纳电压:10.4V
  测试电流(Iz):5mA
  最大稳压电流(Izm):50mA
  额定功率:200mW
  动态阻抗(Zzt):35Ω max @ 5mA
  温度系数:+6mV/°C typ
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  极性:单向齐纳
  安装方式:表面贴装(SMD)
  引脚数:2

特性

EDZTE6111B齐纳二极管的核心特性之一是其出色的电压稳定性和低动态阻抗。在正常工作条件下,其齐纳电压被精确设定在11V左右,且在测试电流为5mA时,电压容差控制在±6%以内(即10.4V至11.6V之间),这使得它非常适合作为精密电压参考源使用。该器件的动态阻抗最大仅为35Ω,在小信号波动下能够有效抑制电压变化,从而提升整个系统的稳定性。此外,其温度系数约为+6mV/°C,表明随着温度上升,齐纳电压略有增加,这一特性在设计温度补偿电路时需要加以考虑,但整体漂移较小,仍可满足多数常规应用需求。
  另一个重要特点是其小型化封装SOD-523,尺寸仅为约1.6mm × 1.2mm × 0.65mm,适合高密度PCB布局,特别适用于智能手机、可穿戴设备、无线传感器节点等空间受限的产品中。尽管体积小巧,但其额定功率可达200mW,允许在有限散热条件下持续运行。同时,最大稳压电流为50mA,足以应对大多数低功耗模拟电路或数字逻辑电平转换场景下的需求。
  该器件还具备良好的可靠性和耐久性,经过严格的质量控制流程生产,并通过AEC-Q101车规认证,意味着它可以在汽车电子环境中长期稳定运行,抵抗振动、湿度和极端温度的影响。其工作结温范围达到-55°C至+150°C,适应从极寒户外到高温引擎舱的各种严苛环境。此外,ROHM在制造过程中采用了先进的扩散工艺和钝化层技术,提升了器件的反向漏电流性能,在未达到击穿电压前的漏电极低(通常小于1μA),减少了静态功耗,提高了能效表现。
  EDZTE611B系列支持卷带包装,便于自动化贴片生产,符合现代SMT(表面贴装技术)工艺要求,有助于提高生产效率并降低制造成本。整体而言,EDZTE6111B凭借其精准的电压控制、紧凑的外形和高可靠性,成为众多电子系统中不可或缺的基础元件。

应用

EDZTE6111B齐纳二极管广泛应用于多种电子系统中,主要用于实现电压钳位、稳压参考和过压保护功能。在便携式消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机,常用于电源管理单元中的电压基准生成,为ADC、DAC或比较器提供稳定的参考电压。由于其封装小巧、功耗低,非常适合集成在电池供电的小型设备中,帮助延长续航时间。
  在工业控制领域,该器件可用于PLC模块、传感器信号调理电路和数据采集系统中,作为模拟前端的电压限幅器,防止因瞬态电压尖峰导致敏感IC损坏。例如,在4-20mA电流环路接收器中,它可以用来稳定供电电压或保护微控制器输入引脚。
  在汽车电子系统中,得益于其通过AEC-Q101认证,EDZTE611B可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统、灯光控制系统及电池管理系统(BMS)中,承担电源轨的稳压与浪涌防护任务。即使在点火瞬间或负载突降产生的电压波动下,也能维持后级电路的安全运行。
  此外,该齐纳二极管也常见于通信设备、智能家居控制板和物联网网关中,用于ESD保护和信号电平转换电路。例如,在I2C或UART接口中,可通过与限流电阻配合使用,将信号电压限制在安全范围内,避免总线冲突或静电损伤。
  在开关电源(SMPS)反馈回路中,虽然高端应用更多采用TL431等专用基准芯片,但在成本敏感或空间受限的设计中,EDZTE611B也可作为简易反馈基准使用,配合光耦构成闭环稳压结构。总之,其多功能性、高可靠性和标准化封装使其成为工程师在进行电路设计时常用的被动元件之一。

替代型号

MZ5-11V-R, BZT52C11-7-F, CZ55-11, ZMM11, ZMC11, SMZ11

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EDZTE6111B参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)11V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 8V
  • 容差±2%
  • 功率 - 最大150mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)30 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-79,SOD-523
  • 供应商设备封装EMD2
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 其它名称EDZTE6111BDKR