GA0805H123KBABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用领域。该芯片采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效提升系统效率并降低能耗。
这款芯片适合需要高效能与高可靠性的电力电子设备,广泛应用于消费类电子产品、工业控制以及汽车电子等领域。
型号:GA0805H123KBABR31G
类型:N-Channel MOSFET
封装:TO-263
VDS(漏源极电压):80V
RDS(on)(导通电阻):4.5mΩ
IDS(连续漏极电流):50A
栅极电荷:45nC
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
功耗:100W
GA0805H123KBABR31G 的主要特性包括:
1. 高效的沟槽式 MOSFET 结构设计,显著降低导通电阻 RDS(on),从而减少功率损耗。
2. 具备快速开关性能,能够支持高频操作,适应现代电力电子设备对小型化和高效化的需求。
3. 提供出色的热稳定性,能够在高温环境下持续运行,并保持较高的可靠性。
4. 内置 ESD 保护功能,增强器件在实际应用中的抗静电能力。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适用于广泛的国际市场需求。
这些特点使得 GA0805H123KBABR31G 成为一种理想的选择,尤其适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。
GA0805H123KBABR31G 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS),例如 PC 电源适配器、服务器电源和充电器。
2. DC-DC 转换器,用于便携式设备、通信设备及工业自动化系统。
3. 电机驱动,适用于家用电器、电动工具和工业控制设备。
4. 汽车电子,如电动车窗控制器、座椅调节系统和车载逆变器。
5. 其他需要高性能功率开关的应用场景,例如 LED 驱动器和太阳能微逆变器。
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