IS61LV2568-10KI 时间：2025/9/1 9:16:24 阅读：22

IS61LV2568-10KI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于异步SRAM类别，具有高速访问时间和低功耗特性，适用于需要快速数据存取的系统应用，如网络设备、工业控制、通信设备以及嵌入式系统等。IS61LV2568-10KI 的容量为256K x 8位，即总共2M位的存储容量，采用标准的异步接口设计，支持全地址和数据总线控制。

参数

容量：256K x 8位
　　访问时间：10 ns
　　电源电压：3.3V 或 5V（根据具体后缀）
　　封装类型：TSOP、SOJ、TSOP-II（根据后缀KI，通常为TSOP）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装引脚数：54引脚
　　数据保持电压：1.5V 至 Vcc
　　最大读取电流：约200 mA（典型值）
　　待机电流：约10 mA
　　封装尺寸：约18.4 mm x 20.0 mm（TSOP）
　　输入/输出逻辑电平：TTL/CMOS兼容
　　读写控制信号：CE#, OE#, WE#
　　地址线：A0 - A17（18位地址）
　　数据线：I/O0 - I/O7（8位数据）

特性

IS61LV2568-10KI 采用高性能CMOS工艺制造，具备高速访问能力，访问时间仅为10纳秒，能够满足高速缓存和实时数据处理的需求。其异步控制接口允许直接连接到微处理器或其他控制器，而无需额外的同步逻辑电路，简化了系统设计。该芯片支持多种封装形式，适应不同的PCB布局需求。在电源管理方面，该SRAM具有低待机电流特性，有助于降低系统整体功耗，尤其适用于对功耗敏感的应用场景。
　　此外，IS61LV2568-10KI 工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C 至 +85°C），适合在各种恶劣环境下稳定运行。其TTL/CMOS兼容的输入输出电平使其能够灵活连接多种不同类型的控制器和外围设备。芯片还具有良好的数据保持能力，在低至1.5V的电压下仍可保持存储数据不丢失，增强了系统在低电压或断电情况下的可靠性。
　　该SRAM芯片的地址和数据总线均为独立控制，支持全地址解码和部分地址解码模式，适用于多种存储器扩展和地址映射方案。其CE#（片选）、OE#（输出使能）和WE#（写使能）控制信号可实现灵活的读写操作控制，适用于并行总线架构。

应用

IS61LV2568-10KI 主要应用于需要高速数据访问和大容量缓存的嵌入式系统，如工业控制设备、网络路由器、通信模块、视频采集与处理设备、测试测量仪器以及自动化设备。由于其高速度和低功耗特性，该芯片也常用于便携式电子设备、手持终端以及实时控制系统中。在嵌入式系统中，IS61LV2568-10KI 可作为主控制器的外部高速缓存，用于存储临时数据、程序代码或关键运行参数。在通信领域，该芯片可作为缓冲存储器用于数据包缓存和转发。在视频和图像处理应用中，它可用于帧缓存或临时图像数据存储。