类型：双肖特基二极管阵列
　　配置：共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：40 V
　　最大直流反向电压（VR）：40 V
　　最大平均整流电流（IO）：150 mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：1.2 A
　　最大正向电压（VF）：0.38 V @ 150 mA, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.1 μA @ 25°C；10 μA @ 125°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值 < 1 ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：DFN-6（1.6 mm × 1.6 mm）
　　热阻抗（RθJA）：约 350°C/W（PCB板上）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：6

EDBA164B2PR-1D-F-R具备极低的正向导通压降，典型值仅为0.38V，在150mA电流下即可实现高效能整流，显著降低功率损耗，提高系统整体效率。这一特性使其特别适用于电池供电设备和低电压电源管理系统中，有助于延长设备续航时间。该器件采用肖特基势垒结构，不存在少子存储效应，因此具有极快的开关速度，反向恢复时间小于1纳秒，几乎无反向恢复电荷，有效减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提升了高频电路的稳定性。
　　该二极管具有优异的温度稳定性，在高温环境（如125°C）下仍能保持较低的漏电流水平（最大10μA），确保在恶劣工作条件下依然可靠运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）支持极端环境下的应用需求，包括工业控制、汽车电子等领域。器件封装采用DFN-6小型化无引线设计，不仅节省PCB空间，还提供了良好的热传导路径，有利于热量从芯片传递到PCB，从而提升长期工作的可靠性。
　　EDBA164B2PR-1D-F-R通过AEC-Q101车规级认证，适用于汽车电子系统中的瞬态电压抑制、电源轨保护和信号调理等功能。其无铅、无卤素、符合RoHS指令的设计符合现代环保法规要求，适用于消费类电子、通信模块、可穿戴设备等多种领域。此外，该器件在制造过程中严格控制杂质扩散与界面缺陷，保证了批次间的一致性与高良率，适合自动化贴片生产线使用。

EDBA164B2PR-1D-F-R常用于便携式电子设备中的电源管理单元，例如智能手机、平板电脑和智能手表中的低压DC-DC转换器输出整流，利用其低正向压降特性减少发热并提升能效。该器件也适用于电池充电电路中的防倒灌二极管，防止电池向电源端反向放电，保障系统安全。在多路电源切换电路中，它可用于构建OR-ing二极管逻辑，实现主备电源之间的无缝切换。
　　在通信接口保护方面，EDBA164B2PR-1D-F-R可用于USB、I2C、SPI等信号线的静电放电（ESD）防护和电压钳位，凭借其快速响应能力和低电容特性，不会影响高速信号完整性。此外，该器件还可应用于传感器信号调理电路中，作为箝位或限幅元件，防止过压损坏后级IC。在汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统、车身控制模块和远程无钥匙进入系统中，该二极管用于电源轨的瞬态抑制和噪声滤波。
　　由于其高可靠性和小尺寸封装，EDBA164B2PR-1D-F-R也被广泛用于工业传感器、物联网节点、无线模块和医疗监测设备中，承担电源整流、反向隔离和信号保护功能。其高频特性使其适用于开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流，尤其是在低输出电压（如3.3V或更低）的应用中表现优异。

DMCA164W2P101Q-7;VS-MCA164W2P101Q;CDBU1640L;SB1040