时间：2025/9/3 1:59:42
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2N3826 是一款常见的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于功率放大、开关电源以及电机控制等应用中。这款MOSFET采用TO-204封装，具备较高的耐压能力和较大的导通电流，适合用于中高功率的电子电路设计中。2N3826以其可靠性和稳定性著称，在工业控制、电源管理和电子设备中得到了广泛应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：250V
栅源电压（VGS）：±30V
漏极电流（ID）：8A
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.45Ω
功率耗散（PD）：75W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-204
2N3826具有优异的导通性能和较高的耐压能力，使其在高电压和高电流的应用中表现出色。其导通电阻较低，能够有效减少功率损耗并提高整体效率。此外，该器件具备良好的热稳定性和抗过载能力，能够在较为恶劣的工作环境下保持稳定运行。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，适用于多种驱动电路设计，并且具备较强的抗干扰能力。2N3826的封装形式有助于良好的散热性能，确保器件在高功率工作状态下仍能维持较低的温度。
在实际应用中，2N3826具备快速开关能力，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等场合。其结构设计有助于减少寄生电容，提高开关速度并降低开关损耗。同时，该器件具备良好的线性区特性，使其在功率放大电路中也能发挥出色的表现。
2N3826 主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动电路、逆变器、UPS系统、电池充电器以及工业自动化控制系统等领域。在这些应用中，它能够高效地控制大电流和高电压，实现电能的稳定转换与传输。此外，由于其良好的导通特性和高频响应能力，2N3826也常用于功率放大器和高频电子设备中。
2N3827, IRF630, BUZ11, IRF540
