时间：2025/6/5 17:36:29
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ECVAS100518A40090NBT 是一款基于砷化镓（GaAs）材料的高频率、低噪声放大器芯片，广泛应用于射频和微波通信系统中。该器件采用先进的pHEMT工艺制造，具备高增益、低噪声系数以及优异的线性度性能。
其封装形式紧凑，适合于空间受限的设计环境，同时提供了出色的电气性能，使其在卫星通信、雷达系统和无线基础设施等应用领域备受青睐。
型号：ECVAS100518A40090NBT
工作频率范围：DC 至 20 GHz
增益：16 dB 典型值
噪声系数：1.3 dB 典型值
输出功率（1 dB 压缩点）：+21 dBm 典型值
输入匹配：20 dB 典型值
输出匹配：20 dB 典型值
电源电压：+4 VDC
工作电流：90 mA 典型值
封装形式：无引脚表面贴装
这款放大器芯片具有极宽的工作频率范围，覆盖从直流到20 GHz，非常适合多种高频应用场景。它的低噪声系数确保了信号传输中的高保真度，而高增益则能够显著增强微弱信号的强度。此外，该器件还具备良好的线性度和稳定性，即使在极端温度条件下也能保持稳定性能。
ECVAS100518A40090NBT 的紧凑设计使其非常适合对尺寸敏感的应用场景，并且其较低的功耗有助于延长电池供电设备的使用寿命。
ECVAS100518A40090NBT 芯片适用于各种高频电子设备，包括但不限于：
1. 卫星通信系统中的上行链路和下行链路信号处理
2. 雷达系统中的目标探测与跟踪
3. 点对点微波无线电通信
4. 测试测量仪器中的信号增强
5. 5G基站及无线基础设施中的信号放大
6. 医疗成像设备中的高频信号处理
7. 安全监控和遥感技术中的信号采集与分析
ECVAS100518A40080NBT
ECVAS100518A40100NBT
