时间：2025/5/29 10:58:31
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BUK7S1R5-40H是由安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。其主要特点是低导通电阻和快速开关性能，有助于提高系统效率并降低功耗。
BUK7S1R5-40H的工作电压为40V，具有较低的导通电阻，非常适合需要高效能和散热管理的应用场景。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：9.8A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：30nC
总电容：1450pF
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-263
BUK7S1R5-40H具有以下主要特性：
1. 低导通电阻，有助于减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，可以有效降低开关损耗。
3. 高温工作能力，能够在最高175℃的环境下稳定运行。
4. 具有良好的热特性和电气特性，适合用于高功率密度设计。
5. 封装可靠耐用，便于集成到各种工业和消费类电子产品中。
这些特性使BUK7S1R5-40H成为各类高效能功率转换应用的理想选择。
BUK7S1R5-40H广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. 各种类型的DC-DC转换器。
3. 电机驱动控制电路。
4. 负载开关和保护电路。
5. 汽车电子中的负载切换和电池管理系统。
由于其出色的电气特性和可靠性，这款器件特别适合需要高效率和高温工作的应用环境。
BUK7Y1R5-40E, BUK7S0R9-40H
