ECN3067SLV 时间：2025/9/7 16:50:40 阅读：8

ECN3067SLV是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高性能功率管理应用设计，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优异的热稳定性，适用于电源转换、电机控制、负载开关及电池管理系统等多种高功率需求场景。ECN3067SLV采用先进的Trench沟槽技术，实现了在较小封装体积下仍具备出色的导通性能和开关特性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：120A（在Tc=25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：最大5.7mΩ（在Vgs=10V时）
　　功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
　　封装形式：PowerPAK SO-8双封装
　　工艺技术：Trench沟槽技术

特性

ECN3067SLV具备多项优异的电气和热性能特性。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件在Vgs=10V时，Rds(on)最大值仅为5.7mΩ，这使得其在高电流应用中仍能保持较低的功率损耗。
　　其次，该MOSFET具有高电流承载能力，连续漏极电流可达120A，适合用于高功率密度设计。同时，其先进的Trench沟槽工艺不仅提升了导通性能，还优化了开关速度，从而降低了开关损耗。
　　此外，ECN3067SLV采用PowerPAK SO-8双封装，具有良好的散热性能和机械稳定性。该封装结构可有效提高热传导效率，确保器件在高负载工作条件下仍能维持稳定的温度表现，从而延长使用寿命并提高系统可靠性。
　　该器件的工作温度范围宽达-55℃至175℃，适用于严苛环境条件下的工业和汽车电子应用。其栅极驱动电压范围宽，兼容标准逻辑电平驱动，方便集成至多种控制电路中。

应用

ECN3067SLV广泛应用于各种高功率电子系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关、电源管理模块以及汽车电子控制系统。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效能电源转换和功率控制的理想选择，尤其适合用于要求高效率和高可靠性的工业设备、服务器电源、电动工具及新能源汽车相关应用。