时间：2025/5/10 9:14:38
阅读：14
SI7884BDP-T1-GE3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TrenchFET 第三代技术。该器件具有极低的导通电阻和优化的开关性能，适用于高效率、高密度的电源转换应用。其封装形式为小外形晶体管 SOT-23 封装，适合于空间受限的设计场景。
这款 MOSFET 的额定电压为 60V，能够满足多种中低压应用场景的需求，如 DC-DC 转换器、负载开关、同步整流以及电池供电设备等。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.5A
导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：3.9nC（典型值）
总电容（Ciss）：115pF（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23
SI7884BDP-T1-GE3 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，栅极电荷较小，有助于减少开关损耗。
3. 采用 TrenchFET 第三代技术，提供更优的功率密度和热性能。
4. 小尺寸 SOT-23 封装，节省 PCB 空间，非常适合便携式和紧凑型设计。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无卤素。
6. 支持宽范围的工作温度，适应恶劣环境下的应用需求。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 移动设备中的负载开关和电源管理电路。
2. 同步整流拓扑中的功率级元件。
3. DC-DC 转换器及 POL（Point of Load）转换器。
4. 工业控制和消费电子中的电池管理系统。
5. LED 驱动器和其他低压开关应用。
6. 各种需要高效能与小型化设计的场合。
SI4446DY-T1-GE3, SI4447DY-T1-GE3, BSS138
