类型: N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds): 650V
　　最大栅源电压(Vgs): ±30V
　　最大连续漏极电流(Id): 13A
　　最大功率耗散(Pd): 200W
　　导通电阻(Rds(on)): 0.45Ω（典型值）
　　工作温度范围: -55°C ~ +150°C
　　封装类型: TO-247

IXTH13N65具备多项优秀的电气和热性能特性。其高耐压能力（650V）使得该MOSFET适用于各种高电压开关应用，例如开关电源（SMPS）、电机控制和照明系统。此外，该器件的最大连续漏极电流为13A，能够承受较大的负载电流，确保系统在高功率运行时的稳定性。
　　其导通电阻较低（典型值为0.45Ω），有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。这种低Rds(on)特性在高频开关应用中尤为重要，因为可以减少能量损耗并提高热性能。
　　此外，IXTH13N65的封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，能够在高功率条件下保持较低的工作温度。该器件还具有较高的抗雪崩能力，确保在突发过压或过流条件下仍能可靠运行。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围为±30V，使其兼容常见的驱动电路设计，并具备良好的抗干扰能力。同时，其快速的开关特性有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。

IXTH13N65广泛应用于多种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、照明系统（如HID灯镇流器）、工业自动化设备和消费类电子产品中的功率管理模块。由于其高电压和高电流能力，该器件特别适合需要高效率和高可靠性的设计场景。
　　在电机控制应用中，IXTH13N65可用于H桥驱动电路，实现对直流电机或步进电机的精确控制。在照明系统中，该MOSFET可以作为高频镇流器的关键开关元件，提升灯具的能效和寿命。
　　此外，该器件还常用于逆变器和UPS（不间断电源）系统中，用于实现高效的直流到交流转换，确保设备在电力中断时仍能稳定运行。

IRF840, FDPF13N65, STP13N65M5, FQA13N65