时间：2025/9/14 1:26:23
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EA20QC04AG是一款由东芝（Toshiba）制造的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频率开关应用和功率管理领域。这款器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特性，适用于各种高功率密度的电子设备。EA20QC04AG的封装形式为表面贴装型（SOP），便于在现代电路板设计中进行自动化装配。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：20A
最大漏源电压（Vds）：40V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOP（表面贴装）
EA20QC04AG具有低导通电阻的特点，这使其在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。
该器件采用了东芝先进的沟槽式MOSFET技术，使得其在高频开关应用中表现出色，适用于DC-DC转换器、电源管理模块等场合。
此外，EA20QC04AG具备良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下长时间稳定运行，适合工业级和汽车电子应用的需求。
其表面贴装封装形式不仅便于自动化生产，还能减少PCB空间占用，提高整体设计的灵活性。
该MOSFET还具有较强的抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中保持稳定的工作状态。
EA20QC04AG广泛应用于各类电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电机驱动电路中。
在服务器电源、通信设备电源、笔记本电脑适配器等高功率密度应用中，EA20QC04AG能够提供高效、稳定的性能。
由于其良好的热管理和高频响应能力，该器件也常用于LED照明驱动电路、电池充电管理模块等场合。
此外，在汽车电子系统中，例如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）等，EA20QC04AG也能满足高可靠性和耐久性的要求。
对于需要快速开关和低损耗的功率电子设备，这款MOSFET是一个理想的选择。
SiR142DP-T1-GE3, IPB045N04NG, STD20NF04L
