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AON6596 发布时间 时间:2025/5/10 12:27:57 查看 阅读:26

AON6596是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TOLL封装形式,适用于高频和高效率的功率转换应用。其低导通电阻和优秀的开关性能使其成为消费电子、通信设备以及工业电源系统中的理想选择。
  该器件的设计重点在于降低传导损耗和开关损耗,同时保持较高的电流处理能力。通过优化芯片结构,AON6596能够在高温和高压环境下稳定运行,确保系统的可靠性和高效性。

参数

漏源极击穿电压:100V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻:1.4mΩ
  栅极电荷:75nC
  输入电容:3360pF
  总热阻(结到环境):44°C/W
  工作结温范围:-55°C to 175°C

特性

AON6596具有非常低的导通电阻(Rds(on)),仅为1.4mΩ,这显著降低了在大电流下的功耗。此外,该器件的栅极电荷较低,有助于提高开关速度并减少开关损耗。
  由于采用了先进的制程技术,AON6596的寄生参数被最小化,从而提升了整体效率。它的高雪崩能力和坚固的设计使其能够承受过载条件和短路事件。
  AON6596还具备优异的温度稳定性,在宽温度范围内能保持一致的性能表现。TOLL封装提供了良好的散热性能和紧凑的尺寸,适合空间受限的应用场景。

应用

AON6596广泛应用于各类需要高效功率管理的场合,包括但不限于:
  1. 服务器和通信电源中的同步整流器
  2. 笔记本电脑适配器和USB-PD充电器中的DC-DC转换
  3. 工业电机驱动和逆变器中的功率级控制
  4. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理
  5. 高效AC-DC和DC-DC转换器设计
  6. 大功率LED驱动器中的开关元件
  AON6596凭借其卓越的性能和可靠性,特别适合要求高效率和高密度功率转换的应用环境。

替代型号

AOTF24S100,
  AON6596L,
  AOI6596

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AON6596参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)20A(Ta),35A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)7.5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)30 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1150 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)5W(Ta),41W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线