标称频率：24.000 MHz
　　频率容差：±10 ppm
　　负载电容：18 pF
　　工作温度范围：-20°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　激励电平：10 μW
　　老化率：±3 ppm/年
　　封装类型：DIP

E49A24E0X000LE 晶体振荡器以其高精度和高稳定性著称。该器件的频率容差为 ±10 ppm，确保了在不同工作条件下仍能提供稳定的时钟信号。
　　此外，其负载电容为 18 pF，适用于大多数常见的振荡器电路设计。工作温度范围为 -20°C 至 +70°C，使其能够在多种环境条件下可靠运行。
　　晶体的激励电平为 10 μW，较低的激励电平有助于减少功耗并延长使用寿命。E49A24E0X000LE 还具有良好的老化特性，年老化率仅为 ±3 ppm，确保了长期使用的频率稳定性。
　　该晶体采用 DIP 封装，便于手工焊接和安装，适用于各种电子设备的开发和生产。

E49A24E0X000LE 主要用于需要高精度时钟信号的电子设备中，例如微控制器系统、通信模块、工业控制系统、消费类电子产品等。
　　在微控制器系统中，该晶体可作为主时钟源，为处理器和外围设备提供精确的时序信号。
　　在通信模块中，E49A24E0X000LE 可用于提供稳定的参考频率，以确保数据传输的准确性和可靠性。
　　此外，该晶体也适用于各种传感器模块、音频设备、显示模块等需要稳定时钟源的应用场景。

E49A24E0X000LE 可以被以下型号替代：E49A240000X00000R（±10 ppm，18 pF，DIP）、E49A240000X00300Q（±10 ppm，20 pF，DIP）、E49A240000X00100R（±20 ppm，18 pF，DIP）等。具体替代型号需根据实际应用需求选择，例如频率容差、负载电容、封装形式等因素需要匹配。