时间：2025/5/9 14:21:17
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DMN52D0UQ 是一款 N 沱道场效应晶体管 (MOSFET)，由 Diodes 公司生产。该器件采用逻辑电平驱动设计，适用于需要低导通电阻和快速开关的应用场合。
其主要特点是低导通电阻和高效率的开关性能，广泛应用于消费类电子产品、计算机及外设、通信设备以及工业控制领域。
型号：DMN52D0UQ
类型：N 沱道 MOSFET
VDS（漏源极电压）：30V
RDS(on)（导通电阻）：1.9mΩ（典型值，在 VGS=10V 的情况下）
ID（连续漏极电流）：84A
VGS(th)（栅极阈值电压）：1.3V（最大值）
封装形式：TO-263 (D2PAK)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
DMN52D0UQ 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力，使其适合于大功率应用。
3. 快速开关速度，减少开关损耗，适用于高频开关电源。
4. 逻辑电平驱动设计，允许使用较低的栅极驱动电压，简化电路设计。
5. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境条件。
6. 封装坚固耐用，提供良好的散热性能。
DMN52D0UQ 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC/DC 转换器中的主开关或续流二极管替代品。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 电池保护和负载切换。
5. 各种消费类电子产品的功率管理模块。
6. 工业自动化设备中的功率转换与控制。
7. 通信设备中的高效功率传输。
DMN52D0UQJ-13,
DMN52D0UQG-13
