容量：32K x 8位（256Kbit）
　　电源电压：5V（工作电压范围通常为4.5V至5.5V）
　　访问时间：70ns（-7TR后缀表示访问时间为70纳秒）
　　封装类型：28引脚塑料双列直插封装（DIP）或表面贴装（SOP）
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装形式：FPI（28引脚DIP）
　　封装尺寸：取决于具体封装类型
　　功耗：典型工作电流为100mA左右，待机电流小于10mA
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　封装材料：塑料

HM62256BLFPI-7TR 是一款高速SRAM芯片，具有优异的性能和稳定性。其主要特点包括高速访问时间（70ns），能够在高频率下运行，适用于需要快速数据读写的系统。其CMOS结构确保了低功耗运行，尤其在待机模式下功耗极低，适合电池供电或低功耗应用。此外，该芯片具备宽广的工作电压范围（4.5V至5.5V），增强了其在不同供电条件下的适应能力。TTL兼容的输入/输出电平使其能够与多种逻辑电路无缝连接，简化了系统设计。工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种恶劣环境，包括工业自动化、通信设备和嵌入式系统。封装形式多样，包括28引脚DIP和SOP，方便用户根据电路板布局和生产需求进行选择。该芯片无需刷新电路即可保持数据完整性，简化了硬件设计并提高了系统可靠性。Renesas 提供全面的技术支持和数据手册，便于用户快速集成到现有设计中。

该芯片广泛应用于需要高速数据存储和快速访问的场合。典型应用包括通信设备中的缓存存储器、工业控制器的临时数据存储、嵌入式系统的程序和数据缓存、测试设备和测量仪器中的数据缓冲、便携式电子设备的低功耗存储扩展、网络设备的路由表缓存、消费类电子产品（如游戏机、高端家电）中的辅助存储器、以及各类需要非易失性存储器（如Flash）与高速缓存协同工作的系统。

IS62C256AL-70T, CY62257EWI-70B, IDT71256SA70PFG, AS6C256A-70SAN