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E28F128J3C150 发布时间 时间:2025/12/27 4:41:50 查看 阅读:19

E28F128J3C150是一款由英特尔(Intel)推出的并行接口闪存芯片,属于其成熟的快闪存储器产品线。该器件采用先进的Flash存储技术,具备非易失性数据存储能力,能够在断电后依然保留所存储的信息,适用于需要高可靠性、持久化存储的应用场景。该芯片主要面向工业控制、嵌入式系统、网络设备以及通信基础设施等对稳定性要求较高的领域。E28F128J3C150提供128Mbit(即16MB)的存储容量,组织方式为8M x16位结构,支持字节操作模式,兼容标准的SRAM时序接口,便于与多种微处理器和控制器进行连接。该器件采用48引脚TSOP封装形式,具有较小的物理尺寸,适合空间受限的设计环境。其工作电压通常为3.3V,符合现代低功耗系统设计趋势,并内置了内部电荷泵以支持编程和擦除操作,无需额外的高压电源。此外,该芯片集成了命令寄存器接口,允许通过标准写入操作执行芯片识别、块擦除、编程及擦除挂起等功能,提升了使用的灵活性和控制精度。

参数

型号:E28F128J3C150
  制造商:Intel
  存储容量:128 Mbit (16 MB)
  组织结构:8M x 16位
  接口类型:并行异步
  供电电压:3.3V ± 10%
  访问时间:150 ns
  封装形式:48-pin TSOP II
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  写保护功能:硬件WP#引脚支持
  擦除单元:按块(sector)擦除
  编程方式:字/字节编程
  兼容性:CE、OE、WE控制信号,兼容通用SRAM时序

特性

E28F128J3C150具备多项关键特性,使其在嵌入式非易失性存储应用中表现出色。首先,其128Mbit的存储容量以16位宽的数据总线组织,适用于高性能嵌入式系统中程序代码和固定数据的存储需求。该芯片支持快速150ns的读取访问时间,能够满足大多数微处理器系统的实时读取要求,确保系统启动和运行过程中的流畅性。
  其次,该器件采用3.3V单电源供电设计,不仅简化了电源管理架构,还降低了系统整体功耗,适应便携式或远程部署设备的需求。内部集成的电荷泵技术使得芯片在进行编程和擦除操作时无需外部提供高电压,从而减少了外围电路复杂度和PCB布板难度。同时,它支持扇区级别的擦除机制,允许用户对特定区域进行独立擦除,提高了数据管理和更新效率,特别适用于需要频繁固件升级或配置变更的应用场景。
  再者,E28F128J3C150具备强大的耐用性和数据保持能力,典型情况下可支持10万次以上的编程/擦除周期,数据保存时间可达100年,保障了长期运行下的数据完整性与系统可靠性。芯片内置的状态轮询机制和软件保护功能,如擦除/编程暂停、错误检测等,增强了系统的容错能力和操作安全性。此外,通过标准的命令接口(如Read ID、Block Erase、Chip Erase等),开发者可以方便地实现固件烧录、现场升级和调试操作。
  最后,该器件符合工业级温度规范(-40°C至+85°C),可在恶劣环境下稳定工作,广泛应用于工业自动化、电信交换设备、医疗仪器和车载控制系统等领域。尽管该型号已逐步进入停产阶段,但由于其良好的兼容性和成熟的技术生态,仍在许多遗留系统维护和替代设计中被持续使用。

应用

E28F128J3C150广泛应用于各类需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用场景包括工业控制设备中的PLC控制器、HMI人机界面和运动控制系统,用于存储启动代码、操作系统镜像或配置参数。在网络通信领域,该芯片常见于路由器、交换机和基站设备中,承担引导程序(Bootloader)和固件映像的存储任务,确保设备上电后能快速加载并进入正常工作状态。
  在消费类电子方面,虽然目前主流已被串行NOR Flash取代,但在一些老式多媒体终端、机顶盒或数字视频录像机(DVR)中仍可见其身影。此外,在医疗设备、测试测量仪器以及航空航天地面支持设备中,由于对数据完整性和长期稳定性有极高要求,E28F128J3C150因其经过验证的可靠性而被选用作为关键存储组件。
  由于其并行接口特性,该芯片适合与传统DSP、微控制器(MCU)或MPU直接连接,尤其适用于没有外部存储控制器但需要扩展程序存储空间的系统架构。此外,在系统开发和原型验证阶段,工程师也常利用此类并行Flash进行固件调试和迭代测试。随着技术演进,虽然新型SPI/QSPI接口Flash更具成本和空间优势,但在某些必须维持原有硬件架构不变的升级项目中,E28F128J3C150仍是不可或缺的替换选择。

替代型号

S29GL128P_15_43_70

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