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IKW40N120CS7XKSA1 发布时间 时间:2025/6/9 15:01:36 查看 阅读:5

IKW40N120CS7XKSA1 是一款由英飞凌(Infineon)生产的高压功率 MOSFET,采用 TOLL 封装。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。
  这款 MOSFET 的额定电压为 1200V,能够承受较高的反向电压,同时其导通电阻较低,有助于减少传导损耗并提高整体效率。

参数

最大漏源电压:1200V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:135mΩ(典型值,@ VGS=15V)
  栅极电荷:95nC(典型值)
  输入电容:1850pF(典型值)
  总开关能量:3.6mJ(典型值)
  封装类型:TOLL
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IKW40N120CS7XKSA1 具有以下显著特性:
  1. 高耐压能力,适合高压直流电路和逆变器设计。
  2. 极低的导通电阻 Rds(on),可降低导通损耗。
  3. 快速开关能力,适合高频应用场景。
  4. 良好的热性能,便于散热设计。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅。
  6. 提供卓越的短路耐受能力,增强系统的鲁棒性。
  7. 支持宽禁带半导体技术,进一步提升效率和可靠性。
  这些特性使得 IKW40N120CS7XKSA1 成为工业电源、电机驱动和可再生能源系统中的理想选择。

应用

IKW40N120CS7XKSA1 主要应用于以下领域:
  1. 太阳能逆变器和储能系统。
  2. 工业电机驱动和伺服控制器。
  3. 电动汽车(EV)充电设备和车载充电器。
  4. 不间断电源(UPS)和 DC-DC 转换器。
  5. 高压电源模块和电力电子变换器。
  6. LED 照明驱动和高压负载控制。
  由于其高电压和大电流处理能力,该器件非常适合要求高效能量转换和稳定运行的场景。

替代型号

IKW40N120E6, IRG4PC40UD, STP40NE120W

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IKW40N120CS7XKSA1参数

  • 现有数量154现货
  • 价格1 : ¥78.86000管件
  • 系列TRENCHSTOP?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)82 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)120 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2V @ 15V,40A
  • 功率 - 最大值357 W
  • 开关能量2.55mJ(开),1.75mJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷230 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值27ns/190ns
  • 测试条件600V,40A,4 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)175 ns
  • 工作温度-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商器件封装PG-TO247-3