类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　电容值：100 nF
　　容差：±10%
　　额定电压：50 V
　　封装尺寸：1210（3.2 mm x 2.5 mm）
　　介质材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　损耗因子（DF）：最大 2.5%
　　绝缘电阻：10,000 MΩ（最小）
　　温度系数：±15% 以内（在 -55°C 至 +125°C 范围内）

KHB4D0N80P1 电容器采用先进的陶瓷材料和制造工艺，具有优异的电气性能和稳定性。其X7R介质材料在宽温度范围内保持电容稳定，适用于对温度变化敏感的应用场景。
　　这款电容器具备低等效串联电感（ESL）和低ESR特性，使其在高频电路中表现出色，适用于去耦和噪声滤波应用。
　　此外，KHB4D0N80P1 符合RoHS标准，无铅且环保，适合现代电子制造中的绿色设计需求。其表面贴装封装形式便于自动化装配，提高生产效率。
　　该电容器还具有良好的机械强度和抗湿热性能，确保在恶劣环境下稳定运行。

KHB4D0N80P1 主要用于各类电子设备中的电源去耦、信号滤波和旁路功能。其高频特性使其特别适用于通信设备、网络基础设施、工业控制系统和消费电子产品。
　　在电源管理系统中，该电容器可用于输入/输出滤波，以降低噪声和纹波，提高电源稳定性。
　　在射频和高速数字电路中，KHB4D0N80P1 可用于旁路电容，提供低阻抗路径，以抑制高频干扰。
　　此外，该电容器也可用于汽车电子系统、LED照明驱动器和嵌入式控制系统等应用场景，满足多种设计需求。

C1210X104K5RACTU, C1210C104K5RACTU, KHB4D0N80P1C4