型号：E28F128
　　存储容量：128 Mbit (16 MB)
　　组织结构：16M x 8位
　　工艺技术：StrataFlash MLC 技术
　　供电电压：3.0V ~ 3.6V
　　访问时间：70 ns / 90 ns 可选
　　封装形式：TSOP56、FBGA
　　接口类型：并行异步接口
　　编程电压：内部电荷泵生成所需高压
　　擦除方式：按块（sector）或整片擦除
　　耐久性：典型值10万次擦写周期
　　数据保持期：10年以上
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　待机电流：< 100 μA
　　读取电流：< 20 mA

E28F128芯片的核心特性之一在于其采用的StrataFlash多级单元（MLC）技术，这一技术使得每个存储单元可以存储两个或更多比特的数据，从而在不增加物理芯片面积的前提下大幅提升存储密度。相比传统的单级单元（SLC）闪存，StrataFlash MLC在成本效益方面具有明显优势，尤其适合对存储容量需求较高但成本敏感的应用场景。这种技术通过精确控制浮栅晶体管中的电荷量来实现多个阈值电压状态的区分，进而表示不同的数据组合。然而，这也带来了对读取精度和噪声干扰更高的要求，因此E28F128集成了复杂的读取放大器和信号调理电路，以确保在各种环境条件下都能准确识别存储状态。
　　另一个关键特性是其灵活的分区架构。E28F128将128Mbit的存储空间划分为多个可独立擦除的扇区（sector），允许用户进行细粒度管理，例如仅更新部分固件而不影响其他区域的数据。这种扇区式结构不仅提高了系统升级的效率，也增强了数据安全性。同时，该芯片支持硬件和软件双重写保护机制，防止因误操作或电源波动导致的关键数据丢失。此外，E28F128内置智能算法用于自动擦除验证和重试机制，确保擦除操作的成功率。
　　在可靠性方面，E28F128具备出色的环境适应能力，可在工业级温度范围内稳定运行，满足严苛的现场应用需求。其低功耗设计使其在待机状态下几乎不消耗能量，非常适合电池供电或绿色节能型设备。芯片还支持快速页读取模式，提升连续数据访问性能。尽管该型号已被后续产品取代，但其稳定的性能表现和广泛的兼容性使其在旧有系统维护中依然具有重要价值。

E28F128主要应用于各类需要大容量非易失性存储的嵌入式系统中。一个典型的应用领域是网络通信设备，如路由器、交换机和防火墙等，这些设备通常需要存储操作系统映像（firmware）、配置文件以及日志信息。由于E28F128提供较大的存储空间和较高的可靠性，能够满足长时间运行且不易出错的需求，因此成为此类设备的理想选择。此外，在工业自动化控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块，E28F128常被用来保存控制程序、工艺参数和校准数据，即使在断电情况下也能确保关键信息不丢失。
　　在电信基础设施中，基站控制器、光传输设备和DSLAM（数字用户线路接入复用器）等也广泛采用E28F128作为固件存储介质。这类应用通常要求器件具备良好的温度适应性和长期数据保持能力，而E28F128恰好符合这些要求。另外，在医疗电子设备中，如便携式监护仪、超声成像系统和实验室分析仪器，该芯片可用于存储启动代码、设备序列号及用户设置参数，保障设备安全可靠地启动和运行。
　　消费类电子产品中也有一定应用，例如高端打印机、POS终端和多媒体播放器，其中E28F128用于存放固件、字体库或图形资源。虽然随着SPI NOR Flash和eMMC等新型存储方案的普及，E28F128的市场份额逐渐缩小，但在一些强调稳定性和兼容性的legacy设计中，它仍然是不可替代的选择。此外，由于其并行接口具有较高的数据吞吐率，适合需要快速加载代码的场景，因此在某些实时性要求较高的嵌入式系统中仍有使用价值。

S29GL128P
　　S29GL128S
　　MT28GU128A