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2DB1714-13 发布时间 时间:2025/12/26 10:51:18 查看 阅读:17

2DB1714-13是一款由Infineon Technologies(英飞凌)公司生产的双极性晶体管阵列,属于其广泛应用于工业、汽车和消费电子领域的高性能半导体产品线。该器件集成了两个独立的NPN型晶体管,采用小型化封装设计,适用于需要高集成度和可靠性的电路应用。2DB1714-13特别针对开关和放大功能进行了优化,在低电压和中等电流条件下表现出色。该器件符合AEC-Q101汽车级认证标准,因此在汽车电子系统中被广泛采用,如电机驱动、继电器控制、LED驱动以及电源管理模块等场景。此外,它还具备良好的热稳定性和抗电磁干扰能力,能够在恶劣环境下保持稳定运行。2DB1714-13采用了先进的制造工艺,确保了器件的一致性和长期可靠性,是现代电子设计中理想的通用型晶体管解决方案之一。

参数

型号:2DB1714-13
  制造商:Infineon Technologies
  晶体管类型:双NPN
  最大集电极-发射极电压(VCEO):50 V
  最大集电极电流(IC):500 mA
  最大功耗(Ptot):500 mW
  直流电流增益(hFE):100 至 600(典型值)
  过渡频率(fT):150 MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-26(SMD)
  引脚数:6
  每芯片晶体管数量:2

特性

2DB1714-13的核心特性之一是其高度集成的双NPN晶体管结构,使得在有限的PCB空间内实现多个信号放大或开关功能成为可能,极大提升了电路设计的紧凑性与效率。每个晶体管均具备高达50V的集电极-发射极耐压能力,能够适应多种电源电压环境下的操作需求,同时支持最高500mA的连续集电极电流输出,足以驱动中小功率负载如继电器、指示灯或小型电机。
  该器件具有优异的直流电流增益(hFE),范围通常在100至600之间,这使其在低输入驱动信号下仍能实现高效的电流放大,适用于微控制器I/O端口驱动等弱电控制强电的应用场合。其过渡频率达到150MHz,表明该晶体管不仅适用于直流和低频开关应用,还能在高频信号处理中保持良好的响应性能,拓展了其在模拟和数字混合信号电路中的适用范围。
  2DB1714-13采用SOT-26表面贴装封装,尺寸小巧且便于自动化生产装配,有助于提高生产效率并降低制造成本。该封装具有良好的散热性能,结合器件内部优化的热设计,可在高达+150°C的结温下安全运行,满足严苛工业与汽车环境的要求。此外,该器件通过AEC-Q101认证,意味着其经过严格的应力测试,包括高温反偏、温度循环、高压蒸煮等,确保在车载电子系统中的长期可靠性。
  另一个关键优势是其出色的电气隔离能力和低漏电流特性,两个内置晶体管之间具有较高的绝缘电阻和较低的交叉干扰,保证了多通道操作时的稳定性。同时,器件具备较强的抗静电放电(ESD)能力,减少了因静电导致损坏的风险,提高了现场使用的鲁棒性。综合来看,2DB1714-13凭借其高集成度、宽工作范围、高可靠性和兼容表面贴装工艺的特点,成为现代电子系统中不可或缺的基础元件之一。

应用

2DB1714-13广泛应用于多个领域,尤其在汽车电子系统中表现突出。它可以用于车身控制模块中的灯光控制电路,例如驱动前大灯、尾灯或转向信号灯,利用其高电流增益和快速开关能力实现精确的PWM调光控制。在发动机管理系统中,该器件可用于驱动喷油器或风扇继电器,提供可靠的开关动作以响应ECU发出的控制指令。
  在工业自动化设备中,2DB1714-13常被用作PLC(可编程逻辑控制器)输出模块中的接口驱动元件,用于将低电平逻辑信号转换为足够驱动外部执行机构(如电磁阀、接触器)的电流信号。由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力,适合部署在工厂环境中存在振动、湿度变化和电磁噪声的复杂工况下。
  消费类电子产品中,该器件可用于LCD背光驱动、音频放大前置级或电池供电设备的电源切换电路。其低功耗特性和SMD封装形式有助于减小整体设备体积并延长续航时间。此外,在通信设备和电源适配器中,2DB1714-13也可作为反馈回路中的误差放大器或稳压控制开关使用。
  得益于其AEC-Q101认证和宽温工作能力,2DB1714-13也常见于新能源汽车的辅助系统、电动助力转向(EPS)、车载充电器(OBC)和DC-DC转换器中,承担信号调理与功率切换任务。总体而言,该器件适用于所有需要高效、可靠双晶体管配置的中低功率应用场景。

替代型号

BC847B, BC848B, MMSTB85, FMMT491, DTD143ZK

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2DB1714-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)370mV @ 75mA,1.5A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)270 @ 200mA,2V
  • 功率 - 最大900mW
  • 频率 - 转换200MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装SOT-89-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2DB1714DITR