时间：2025/12/27 12:08:34
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B72660M231K72是EPCOS（现为TDK集团的一部分）生产的一款多层陶瓷压敏电阻（MLV，Multi-Layer Varistor），主要用于电子电路中的静电放电（ESD）保护和瞬态电压抑制。该器件属于SMD（表面贴装器件）封装系列，专为在紧凑型电子设备中提供高效、快速响应的过压保护而设计。B72660M231K72具有优异的非线性电压-电流特性，能够在正常工作电压下呈现高阻抗状态，而在遭遇高压瞬变（如ESD事件或电涌）时迅速切换至低阻抗状态，将有害能量泄放到地，从而保护后级敏感电子元件。该型号广泛应用于便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备以及工业通信接口等对空间和可靠性要求较高的场合。
该器件采用先进的陶瓷叠层工艺制造，确保了良好的热稳定性和长期可靠性。其小型化封装符合现代电子产品微型化趋势，同时具备出色的耐久性和多次冲击承受能力。B72660M231K72符合RoHS环保标准，无铅且兼容现代回流焊接工艺，适合自动化贴片生产。此外，该压敏电阻具有低电容特性，不会对高速信号线路造成干扰，因此特别适用于USB、HDMI、音频接口、触摸屏传感器等高速数据传输路径的保护。
型号：B72660M231K72
制造商：EPCOS (TDK)
器件类型：多层压敏电阻（MLV）
封装类型：SMD
尺寸：0603（英制）/ 1608（公制）
最大工作电压：24V
标称电压（Vn）：27V
钳位电压（典型值）：50V @ 1A
浪涌电流能力（8/20μs）：50A（单次）
电容值（典型）：60pF @ 1kHz
电阻体厚度：约0.8mm
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
存储温度范围：-40°C 至 +150°C
端电极材料：Ni/Sn镀层，兼容回流焊
ESD耐受能力（IEC 61000-4-2）：±15kV（接触放电）、±15kV（空气放电）
B72660M231K72具备卓越的瞬态电压抑制性能，其核心特性之一是快速响应时间，通常小于1纳秒，能够在ESD事件发生的瞬间立即导通，有效限制电压上升，防止敏感IC受损。这种超快响应能力得益于其多层陶瓷结构中多个内部电极交错排列的设计，形成了大量并联的ZnO晶粒结，使得器件在高压下能迅速发生雪崩击穿，实现能量泄放。该结构还赋予其优异的能量吸收能力，在标准8/20μs电流波形下可承受高达50A的浪涌电流，确保在多次ESD冲击后仍保持性能稳定，不易老化或失效。
该压敏电阻的电压非线性系数非常高，意味着在低于阈值电压时漏电流极小（通常小于1μA），几乎不消耗系统功率；而一旦电压超过动作阈值，其阻抗急剧下降，形成低阻通路，将瞬态电流引导至地。这一特性使其非常适合用于电池供电设备，有助于延长待机时间。此外，其低寄生电容（典型值60pF）保证了在高频信号线路中不会引入显著的信号衰减或失真，因此可在高速差分对（如USB 2.0）中安全使用而不影响通信质量。
机械与环境适应性方面，B72660M231K72采用坚固的陶瓷体结构，抗机械应力能力强，能够承受标准SMT回流焊工艺的高温循环（最高可达260°C峰值温度）。其端电极为全镍阻挡层加锡镀层设计，有效防止银离子迁移，提升长期可靠性。器件符合AEC-Q200汽车级可靠性标准，适用于严苛工作环境。此外，产品通过UL、IEC等多个国际安规认证，满足工业与消费类产品的安全规范要求。
B72660M231K72广泛应用于各类需要高密度、高性能过压保护的电子系统中。在消费电子领域，它常用于智能手机和平板电脑的USB Type-A/C接口、耳机插孔、SIM卡槽、LCD触摸屏连接器等位置，防止用户操作过程中因人体静电导致芯片损坏。在笔记本电脑和便携式设备中，该器件被部署于I/O端口和电池管理电路中，提供可靠的ESD防护。此外，在工业控制设备中，如PLC模块、传感器接口、RS-485通信线路等，B72660M231K72可用于抵御工业环境中的电气噪声和感应雷击引起的瞬态干扰。
在汽车电子方面，尽管该型号主要定位于消费类应用，但其高可靠性和宽温特性也使其适用于车载信息娱乐系统、导航设备、车内摄像头模块等非动力总成系统的低压信号线路保护。在通信设备中，例如路由器、交换机的小信号端子，该压敏电阻可有效抑制来自外部连接线缆的电磁干扰和静电耦合。此外，医疗便携设备如血糖仪、心率监测仪等人机交互接口也常采用此类器件以确保患者和设备的安全。由于其小型化封装和低电容特性，B72660M231K72特别适合布局密集的PCB设计，能够在有限空间内实现多重保护功能，是现代电子系统中不可或缺的被动保护元件。
B72660M231K73
B72660M231K71
VDRS1608Y270KR50T
