时间：2025/8/27 22:26:05
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IR2E58U6是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和优异的开关性能，适用于各种工业和消费类电子产品中的电源系统设计。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：120A
漏极-源极电压（VDS）：60V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为5.8mΩ（在VGS=10V时）
封装类型：PowerPAK SO-8
工作温度范围：-55°C至175°C
IR2E58U6的主要特性包括超低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其采用的沟槽MOSFET技术使得器件在高频开关应用中表现出色，降低了开关损耗。此外，该MOSFET具有较高的电流容量和优异的热性能，能够在高温环境下稳定工作。器件的栅极驱动电压范围宽，支持10V至20V的驱动电压，使其适用于多种驱动电路设计。IR2E58U6还具备良好的抗雪崩能力，确保在极端条件下仍能保持可靠运行。
IR2E58U6广泛应用于各种电源管理系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制电路以及服务器和通信设备的电源模块。其高效率和高可靠性的特点使其成为高性能电源解决方案的理想选择。
SiR142DP, NexFET CSD17551Q5A, AO4496
