品牌：Intel
　　类型：StrataFlash Memory
　　容量：64 Mbit
　　组织结构：8M x 8 位
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　接口类型：并行
　　封装形式：TSOP32
　　编程电压：单电源供电，无需额外Vpp
　　读取访问时间：70ns / 85ns / 120ns（根据后缀不同）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　写入/擦除耐久性：100,000 次循环
　　数据保持时间：超过 100 年（典型值）

E28F008S585采用Intel专有的StrataFlash技术，能够在每个存储单元中存储两个比特的数据，显著提高了存储密度并降低了每比特成本。这种多层存储机制通过精确控制浮栅晶体管中的电荷量来实现多个阈值电压状态，从而区分不同的数据值。该技术不仅提升了容量，还保持了与传统NOR Flash相似的可靠性与性能表现。
　　该芯片支持多种低功耗模式，包括待机模式和深度掉电模式，使其非常适合对功耗敏感的应用场景。在待机模式下，电流消耗可降至几微安级别；而在掉电模式下，功耗几乎可以忽略不计，有助于延长电池供电设备的使用寿命。
　　E28F008S585具备片上写控制器，能够自动管理编程和擦除操作所需的电压脉冲时序与验证过程，简化了外部控制器的设计复杂度。用户只需发送命令序列即可启动相关操作，无需手动控制高压生成与脉冲宽度，提高了系统的稳定性与开发效率。
　　该器件提供硬件写保护功能，可通过特定引脚（如WP#）防止意外擦除或写入操作，增强了数据安全性。同时支持扇区擦除、块擦除和整片擦除等多种擦除模式，便于实现灵活的存储管理策略，例如用于固件分区更新或多任务数据存储。
　　此外，E28F008S585具有优异的抗辐射与环境适应能力，在宽温范围内（-40°C 至 +85°C）均可稳定工作，适合工业级与车载级应用场景。其TSOP32封装形式也便于自动化贴装与回流焊工艺，符合现代电子制造标准。

E28F008S585常用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用包括网络路由器、交换机等通信基础设施设备中的固件存储，用于存放启动代码（Boot Code）、操作系统映像及配置参数。由于其支持快速随机读取，适合XIP（eXecute In Place）架构，即处理器直接从Flash中执行代码，无需将程序加载到RAM中，从而节省系统资源并加快启动速度。
　　在工业控制系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）设备以及远程终端单元（RTU）中，用于存储控制逻辑、校准数据和历史记录。其高耐用性和长期数据保持能力确保关键信息不会因频繁更新或长时间断电而丢失。
　　此外，E28F008S585也被广泛应用于消费类电子产品，如打印机、POS终端、智能仪表和医疗设备中，作为主程序存储器或参数存储区。在汽车电子领域，尽管该型号并非AEC-Q100认证器件，但在部分非安全关键的车载信息娱乐系统或辅助模块中仍有使用案例。
　　由于其并行接口特性，适用于具有并行地址/数据总线的微控制器或DSP系统，尤其适合8位或16位处理器平台。配合简单的地址译码逻辑即可实现高效的存储扩展，是许多传统嵌入式设计中的理想选择。

S29GL064A