时间：2025/5/7 21:08:00
阅读：10
MPM3506AGQV-Z 是一款基于硅技术的高频功率 MOSFET，采用先进的沟槽式工艺制造。该器件专为高效率开关应用设计，具有极低的导通电阻和快速开关特性。它广泛应用于 DC-DC 转换器、负载点转换器（POL）、电机驱动以及电池管理系统等领域。
这款功率 MOSFET 以出色的热性能和电气性能著称，能够显著降低系统功耗并提升整体效率。其小型封装设计使得它非常适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：6.1A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：8nC（典型值）
反向恢复时间：29ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：LFPAK33（PowerSO-8兼容）
MPM3506AGQV-Z 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗。
2. 快速的开关速度，支持高频操作，减少磁性元件尺寸。
3. 高雪崩能量能力，增强器件的鲁棒性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
5. 支持自动化的表面贴装生产，提高制造效率。
6. 小型化封装，适用于紧凑型设计。
这些特性使得 MPM3506AGQV-Z 成为需要高效能和高可靠性的应用的理想选择。
MPM3506AGQV-Z 可用于以下领域：
1. 各类 DC-DC 转换器，包括降压、升压及升降压拓扑。
2. 负载点转换器（POL），在服务器、通信设备中提供高效的电源管理。
3. 电机驱动电路，适用于消费电子和工业自动化中的小型电机控制。
4. 电池管理系统，例如电动汽车或便携式设备中的电池保护与充电管理。
5. LED 驱动器，特别是在高亮度 LED 照明应用中实现精确的电流调节。
6. 开关电源适配器和充电器，满足现代电子产品对高效电源的需求。
MPM3506DGQV-Z, MPM3506BGQV-Z
