类型：PNP型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　集电极-基极电压（VCBO）：100V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

E12MMBT5401 PNP晶体管具备多种优良特性，适用于广泛的电子设计需求。首先，其最大集电极-发射极电压（VCEO）为100V，使得该晶体管能够在较高电压环境下稳定工作，适用于电源控制和高压放大电路。其次，集电极电流（IC）最大为100mA，适合中低功率的放大和开关应用。
　　此外，该晶体管具有良好的频率响应特性，可在中高频范围内正常工作，适用于射频（RF）和逻辑电路中的信号处理。其SOT-23封装结构紧凑，适合高密度PCB布局，并支持表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，具备良好的温度稳定性，适用于工业级和汽车电子等对环境要求较高的应用场景。同时，其较低的饱和压降（VCE(sat)）确保在开关应用中具有较低的功率损耗，从而提高了整体能效。
　　由于其通用性、可靠性和广泛的应用范围，E12MMBT5401 常被用于放大器、数字开关、LED驱动、继电器控制、传感器接口等电路中。

E12MMBT5401 主要应用于以下领域：在放大电路中，用于音频放大器、信号增强器和传感器信号调理电路；在数字电路中，用于逻辑门、缓冲器和电平转换；在电源管理中，用于LED驱动、继电器控制和小型电机驱动；在通信设备中，用于射频信号处理和低噪声放大；在工业自动化和汽车电子中，用于执行器控制、开关电源和温度监控等应用场景。

MMBT5401, BC3904, 2N3904（NPN型，需注意极性）