时间：2025/9/20 15:11:02
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2SK223是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道结型场效应晶体管（JFET），主要用于低噪声、高输入阻抗的模拟信号放大电路中。该器件常用于音频设备、前置放大器、传感器接口以及其他对噪声性能要求较高的应用场合。作为一款经典的分立式JFET，2SK223因其优异的电气特性和稳定性，在工业控制、测量仪器和消费类电子产品中得到了广泛应用。其封装形式通常为小型化的塑料封装，例如TO-92或类似的小外形封装，便于在紧凑的PCB布局中使用。该器件工作于常闭型模式（耗尽型），即在栅极电压为零时导通，通过施加负栅源电压来关闭通道。这种特性使其非常适合用作模拟开关、恒流源或小信号放大器中的有源负载。此外，2SK223具有较低的跨导和良好的线性度，能够在宽温度范围内稳定工作，适用于各种环境条件下的电子系统设计。
类型：N沟道JFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：-5V
最大功耗（Ptot）：150mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
跨导（gm）：约3mS（典型值）
截止频率（fT）：约100MHz
漏极饱和电流（IDSS）：2.0mA 至 8.0mA（典型值5.0mA）
夹断电压（VP）：-0.5V 至 -3.0V（典型值-1.5V）
封装类型：TO-92
2SK223具备出色的低噪声性能，这使得它在高保真音频前置放大器和微弱信号处理电路中表现尤为突出。由于JFET本身的输入阻抗极高（通常在10^9欧姆以上），栅极几乎不吸取电流，因此可以有效避免对前级信号源造成负载效应，特别适合用于高阻抗传感器如压电传感器、麦克风等信号采集前端。其夹断电压和IDSS参数经过合理设计，保证了器件在不同工作条件下仍能保持良好的一致性与稳定性。
该器件的跨导值适中，约为3毫西门子，在小信号放大应用中能够提供足够的增益同时维持较好的线性度，减少信号失真。此外，2SK223的寄生电容较小，频率响应宽，可在高频段内保持良好的放大特性，适用于宽带模拟信号处理场景。
在可靠性方面，2SK223采用成熟的半导体制造工艺，具有较强的抗静电能力和热稳定性，能在-55°C至+150°C的极端温度范围内正常工作，适应多种严苛的应用环境。其TO-92封装不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，有助于在有限空间内实现高效布板。
值得一提的是，2SK223属于耗尽型器件，这意味着在栅源电压为零时，漏源之间已经存在导电沟道，器件处于导通状态；当栅极施加负偏压时，沟道逐渐变窄直至完全夹断，从而实现对电流的精确控制。这一特性使其可用于构建自动增益控制电路、可变衰减器或精密恒流源等特殊功能模块。
2SK223广泛应用于需要低噪声和高输入阻抗的模拟电路中，典型用途包括音频前置放大器、仪表放大器输入级、传感器信号调理电路、通信设备中的射频前端以及测试与测量仪器中的缓冲放大器。由于其良好的线性特性和稳定的电气参数，也常被用于构建高性能的模拟开关、有源滤波器和谐振放大器。此外，在一些需要长期稳定工作的工业控制系统中，2SK223也被用作关键的信号放大元件，以确保微弱信号的准确传输与处理。
2SK170, J201, 2N5457, U310
