E-L6219DS013TR 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的半导体工艺制造。该器件适用于高效率、高频开关应用场合,广泛用于电源管理、电机驱动、工业控制等领域。
此芯片具有低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能等优点,能够显著降低功耗并提高系统效率。
类型:N沟道 MOSFET
封装形式:TO-252 (DPAK)
最大漏源电压(Vdss):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):34A
导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ
栅极电荷(Qg):27nC
开关时间:ton=15ns, toff=18ns
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
E-L6219DS013TR 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有效减少传导损耗,提升系统效率。
2. 高速开关能力,支持高频应用。
3. 较低的栅极电荷(Qg),可降低驱动损耗。
4. 优秀的热稳定性,允许在高温环境下可靠运行。
5. 高电流承载能力,适合大功率应用。
6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠性高。
这些特点使该芯片非常适合应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理系统等场景。
E-L6219DS013TR 可应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. 电机驱动与控制
3. 汽车电子系统
4. 工业自动化设备
5. LED 照明驱动
6. 电池保护电路
7. 各种需要高效功率转换的应用
L6219D, IRF6219, FDP6219