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E-L6219DS013TR 发布时间 时间:2025/6/6 17:07:16 查看 阅读:5

E-L6219DS013TR 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的半导体工艺制造。该器件适用于高效率、高频开关应用场合,广泛用于电源管理、电机驱动、工业控制等领域。
  此芯片具有低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能等优点,能够显著降低功耗并提高系统效率。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  封装形式:TO-252 (DPAK)
  最大漏源电压(Vdss):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):34A
  导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ
  栅极电荷(Qg):27nC
  开关时间:ton=15ns, toff=18ns
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

E-L6219DS013TR 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有效减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高频应用。
  3. 较低的栅极电荷(Qg),可降低驱动损耗。
  4. 优秀的热稳定性,允许在高温环境下可靠运行。
  5. 高电流承载能力,适合大功率应用。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠性高。
  这些特点使该芯片非常适合应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理系统等场景。

应用

E-L6219DS013TR 可应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 电机驱动与控制
  3. 汽车电子系统
  4. 工业自动化设备
  5. LED 照明驱动
  6. 电池保护电路
  7. 各种需要高效功率转换的应用

替代型号

L6219D, IRF6219, FDP6219

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E-L6219DS013TR参数

  • 其它有关文件L6219 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - 电机和风扇控制器,驱动器
  • 系列-
  • 应用直流电机驱动器,步进电机驱动器
  • 评估套件-
  • 输出数2/1
  • 电流 - 输出750mA
  • 电压 - 负载10 V ~ 46 V
  • 电源电压4.75 V ~ 5.25 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳24-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商设备封装24-SO
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称497-3647-6