类型：IGBT
　　集电极-发射极击穿电压（VCES）：600V
　　额定集电极电流（IC）：16A
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220AB
　　最大耗散功率（PD）：80W
　　栅极阈值电压（VGE(th)）：4.5V 至 6.5V
　　导通压降（VCE(sat)）：约1.7V（典型值，IC=16A）
　　短路耐受能力：有
　　工作结温（Tj）：最高150°C

C16T60FTRRH采用了先进的沟道栅结构和优化的硅芯片设计，具备出色的导通和开关性能。该器件的低饱和压降（VCE(sat)）有效降低了导通损耗，同时优化的开关行为减少了开关过程中的能量损耗，从而提高了系统的整体效率。
　　此外，该IGBT具有良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击，增强了系统的稳定性和可靠性。其封装形式为TO-220AB，便于安装和散热，适用于多种应用场景。
　　在热性能方面，C16T60FTRRH的热阻较低，能够在高负载条件下保持较低的结温，延长器件的使用寿命并提高系统的可靠性。器件的栅极驱动要求较低，适合与常见的驱动电路配合使用，简化了设计流程。
　　该IGBT还具备良好的抗电磁干扰（EMI）性能，能够在复杂的电磁环境中稳定工作，适用于工业自动化、电机控制等高要求的应用场景。

C16T60FTRRH常用于各种功率电子系统中，包括变频器、伺服驱动器、不间断电源（UPS）、逆变器、焊接设备以及家电中的电机控制模块。该器件的高可靠性和优异性能使其成为工业控制和能源管理系统中的关键元件。

SGW20N60WD, FGA25N60LDTU, IKW20N65H5