时间：2025/8/14 4:22:47
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DZ23C8V7_R1_00001 是一种表面贴装齐纳二极管（Zener Diode），由 ROHM Semiconductor 生产。齐纳二极管是一种利用其反向击穿特性来提供稳定参考电压的半导体器件。该型号具有 8.7V 的齐纳电压，并且具备低动态阻抗和快速响应时间的特点，适用于需要电压调节或参考电压的电路设计。由于其封装小型化（通常为 SOD-323 或类似贴片封装），它非常适合用于高密度 PCB 布局和便携式电子产品。
类型：齐纳二极管
齐纳电压（Vz）：8.7V
最大齐纳电流（Iz(max)）：100mA
容差：±5%
功率耗散：150mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOD-323
动态阻抗（Zzt）：约 10Ω
反向漏电流（Ir）：≤ 1μA @ Vr = 6.5V
DZ23C8V7_R1_00001 作为一款高性能齐纳二极管，具备多项优异特性。首先，其齐纳电压为 8.7V，容差为 ±5%，确保在宽温度范围内电压的稳定性。该器件具有较低的动态阻抗（Zzt），有助于在负载变化时保持输出电压的恒定。此外，其响应时间快，适用于需要快速电压调节的电路。该器件的最大齐纳电流可达 100mA，具备良好的功率处理能力，同时功耗较低，适合用于电池供电设备。封装采用 SOD-323，体积小巧，便于自动化贴片生产，且具有良好的热稳定性和机械强度。该器件的工作温度范围广，适用于工业级应用环境。
DZ23C8V7_R1_00001 主要应用于需要电压参考或稳压功能的电路中。常见用途包括电源管理模块中的基准电压源、ADC/DAC 的参考电压、电压检测电路、电池充电器的电压控制部分，以及各类嵌入式系统中的稳压保护电路。由于其响应速度快、电压精度高，它也适合用于精密模拟电路和传感器信号调理电路中的电压稳定需求。此外，该器件还可用于过压保护电路，在系统电压超过设定阈值时触发保护机制，确保关键电路元件的安全运行。
DZ23C8V2（8.2V）、DZ23C9V1（9.1V）、BZV55-C8V7、MMBZ5246B
