CSD87350Q5D 时间：2025/5/6 13:04:02 阅读：17

CSD87350Q5D是德州仪器（TI）推出的一款集成半桥驱动和功率MOSFET的高效率、低功耗氮化镓（GaN）功率级器件。该芯片采用GaNPowertm技术，专为同步降压转换器应用设计，具有高频开关能力，能够显著提升电源系统的功率密度和效率。
　　该器件将一个高侧和低侧增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）与优化的栅极驱动器集成在一起，从而减少了寄生参数的影响并提高了整体性能。此外，它还支持快速的开关速度和低开关损耗，非常适合高频率DC-DC转换以及需要紧凑设计的应用场景。

参数

工作电压：10V至60V
　　连续输出电流：高达40A
　　RDS(on)（高侧+低侧）：2.5mΩ典型值
　　栅极驱动电压：5V
　　封装形式：HotRod? 8引脚四方扁平无引线（QFN）封装
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　开关频率：支持高达2MHz

特性

CSD87350Q5D的主要特性包括以下几点：
　　1. 集成了高侧和低侧氮化镓场效应晶体管，减少外部元件数量。
　　2. 内置栅极驱动器，优化了死区时间和交叉传导性能。
　　3. 超低导通电阻（RDS(on)），降低了导通损耗。
　　4. 支持高频操作，允许使用更小的电感和电容，从而减小解决方案尺寸。
　　5. 提供出色的热性能，适合高功率密度应用。
　　6. 符合汽车级标准（AEC-Q101认证），适用于严苛环境下的可靠运行。
　　7. 内部保护功能，如过流保护和短路保护，增强了系统可靠性。

应用

CSD87350Q5D广泛应用于多种高性能电源管理领域，包括：
　　1. 电信和网络设备中的POL（负载点）转换器。
　　2. 数据中心服务器及存储设备的高效电源模块。
　　3. 汽车电子系统，例如DC-DC转换器和车载充电机。
　　4. 工业自动化设备中的紧凑型电源解决方案。
　　5. 笔记本电脑适配器和其他消费类电子产品中的快充应用。
　　6. 任何需要高效率、高频开关和高功率密度的场合。