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CSD87350Q5D 发布时间 时间:2025/5/6 13:04:02 查看 阅读:17

CSD87350Q5D是德州仪器(TI)推出的一款集成半桥驱动和功率MOSFET的高效率、低功耗氮化镓(GaN)功率级器件。该芯片采用GaNPowertm技术,专为同步降压转换器应用设计,具有高频开关能力,能够显著提升电源系统的功率密度和效率。
  该器件将一个高侧和低侧增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)与优化的栅极驱动器集成在一起,从而减少了寄生参数的影响并提高了整体性能。此外,它还支持快速的开关速度和低开关损耗,非常适合高频率DC-DC转换以及需要紧凑设计的应用场景。

参数

工作电压:10V至60V
  连续输出电流:高达40A
  RDS(on)(高侧+低侧):2.5mΩ典型值
  栅极驱动电压:5V
  封装形式:HotRod? 8引脚四方扁平无引线(QFN)封装
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  开关频率:支持高达2MHz

特性

CSD87350Q5D的主要特性包括以下几点:
  1. 集成了高侧和低侧氮化镓场效应晶体管,减少外部元件数量。
  2. 内置栅极驱动器,优化了死区时间和交叉传导性能。
  3. 超低导通电阻(RDS(on)),降低了导通损耗。
  4. 支持高频操作,允许使用更小的电感和电容,从而减小解决方案尺寸。
  5. 提供出色的热性能,适合高功率密度应用。
  6. 符合汽车级标准(AEC-Q101认证),适用于严苛环境下的可靠运行。
  7. 内部保护功能,如过流保护和短路保护,增强了系统可靠性。

应用

CSD87350Q5D广泛应用于多种高性能电源管理领域,包括:
  1. 电信和网络设备中的POL(负载点)转换器。
  2. 数据中心服务器及存储设备的高效电源模块。
  3. 汽车电子系统,例如DC-DC转换器和车载充电机。
  4. 工业自动化设备中的紧凑型电源解决方案。
  5. 笔记本电脑适配器和其他消费类电子产品中的快充应用。
  6. 任何需要高效率、高频开关和高功率密度的场合。

替代型号

CSD88599Q5D, CSD87374Q5D

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CSD87350Q5D参数

  • 产品培训模块NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件PowerStack? Packaging Technology Overview
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列NexFET™
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C40A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.9 毫欧 @ 20A,8V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs10.9nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1770pF @ 15V
  • 功率 - 最大12W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-LDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-SON(5x6)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称296-28318-6