CSD87350Q5D是德州仪器(TI)推出的一款集成半桥驱动和功率MOSFET的高效率、低功耗氮化镓(GaN)功率级器件。该芯片采用GaNPowertm技术,专为同步降压转换器应用设计,具有高频开关能力,能够显著提升电源系统的功率密度和效率。
该器件将一个高侧和低侧增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)与优化的栅极驱动器集成在一起,从而减少了寄生参数的影响并提高了整体性能。此外,它还支持快速的开关速度和低开关损耗,非常适合高频率DC-DC转换以及需要紧凑设计的应用场景。
工作电压:10V至60V
连续输出电流:高达40A
RDS(on)(高侧+低侧):2.5mΩ典型值
栅极驱动电压:5V
封装形式:HotRod? 8引脚四方扁平无引线(QFN)封装
工作温度范围:-40°C至+150°C
开关频率:支持高达2MHz
CSD87350Q5D的主要特性包括以下几点:
1. 集成了高侧和低侧氮化镓场效应晶体管,减少外部元件数量。
2. 内置栅极驱动器,优化了死区时间和交叉传导性能。
3. 超低导通电阻(RDS(on)),降低了导通损耗。
4. 支持高频操作,允许使用更小的电感和电容,从而减小解决方案尺寸。
5. 提供出色的热性能,适合高功率密度应用。
6. 符合汽车级标准(AEC-Q101认证),适用于严苛环境下的可靠运行。
7. 内部保护功能,如过流保护和短路保护,增强了系统可靠性。
CSD87350Q5D广泛应用于多种高性能电源管理领域,包括:
1. 电信和网络设备中的POL(负载点)转换器。
2. 数据中心服务器及存储设备的高效电源模块。
3. 汽车电子系统,例如DC-DC转换器和车载充电机。
4. 工业自动化设备中的紧凑型电源解决方案。
5. 笔记本电脑适配器和其他消费类电子产品中的快充应用。
6. 任何需要高效率、高频开关和高功率密度的场合。
CSD88599Q5D, CSD87374Q5D