时间：2025/9/4 17:42:11
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DX20A-68S(50)是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET，广泛用于需要高效率和高功率密度的电源系统中。这款MOSFET具有较低的导通电阻，能够在高频率下工作，适用于诸如DC-DC转换器、电源管理模块和马达控制等多种应用。DX20A-68S(50)采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提高了器件的性能和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
漏极电流（Id）：20A
导通电阻（Rds(on)）：68mΩ（最大）
栅极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
功率耗散（Pd）：125W
DX20A-68S(50)具备低导通电阻特性，这使得它在导通状态下的功率损耗极低，从而提高整体电源效率。该器件的高电流承载能力和宽温度范围使其非常适合用于高功率和高温度环境中。此外，其TO-252封装形式不仅提供了良好的热管理和机械稳定性，还便于安装和散热器连接。这款MOSFET的快速开关特性也使其适用于高频转换应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸和成本。
DX20A-68S(50)的另一个重要特性是其高耐用性和可靠性。它能够承受较高的瞬态电压和电流冲击，适合在恶劣的电气环境中运行。此外，其栅极驱动要求较低，可以在较宽的输入电压范围内稳定工作。这种MOSFET还内置了保护功能，如过热保护和过电流保护，进一步增强了其在关键应用中的安全性。
DX20A-68S(50)常用于各种电源管理应用，包括DC-DC转换器、电源供应器、电池充电器和马达控制电路。它也适用于工业自动化设备、消费类电子产品和汽车电子系统。在这些应用中，DX20A-68S(50)可以提供高效的功率转换和可靠的长期运行性能。此外，由于其出色的热管理和高频特性，它也是用于LED照明驱动器和节能灯具的理想选择。
Si7461DP-T1-GE3
IPD60R1K4PFD
IRF3708PBF
