时间：2025/12/29 14:37:07
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DWM2F90N040是一款由Diotec Semiconductor AG制造的双N沟道功率MOSFET，封装在小型DFN2020-6封装中，适用于高密度电源管理应用。该器件具有低导通电阻、高效率和优异的热性能，适合用于负载开关、DC-DC转换器以及电池管理系统。
类型：功率MOSFET
通道类型：双N沟道
漏源电压（VDS）：40V
连续漏极电流（ID）：9A
导通电阻（RDS(on)）：33mΩ @ VGS=10V
栅极电荷（Qg）：12nC
功耗（PD）：5.8W
封装类型：DFN2020-6
DWM2F90N040的主要特性包括低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率；双N沟道设计使得在同一封装内实现两个独立的MOSFET，节省PCB空间；采用先进的沟槽技术，提供卓越的开关性能和热稳定性；DFN2020-6封装具备良好的散热能力，适合高密度电源应用；该器件符合RoHS标准，适用于环保电子产品设计；此外，其低栅极电荷特性也使得开关损耗降低，适用于高频开关电路。
在热管理方面，DWM2F90N040的封装设计优化了热阻，确保在高电流条件下仍能保持稳定运行；其快速开关能力也使其适用于同步整流和负载开关应用。由于其高可靠性和紧凑尺寸，DWM2F90N040广泛用于移动设备、电源适配器、服务器电源和工业控制系统中。
DWM2F90N040主要应用于电源管理领域，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、同步整流器、服务器和电信电源设备；此外，它也适用于高密度和高效率要求的消费类电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理模块。
Si8820EDB, FDMF68110, NexFET CSD87350Q5D
