时间：2025/5/6 21:06:19
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CSD23381F4 是一款由德州仪器（TI）生产的 60V、低电荷 N 通道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的工艺技术制造，适用于需要高效率和高性能的应用场景。其封装形式为小尺寸的 SON-8（DQFN），有助于节省 PCB 空间，同时提供卓越的热性能。
该 MOSFET 主要用于电源管理领域，例如 DC-DC 转换器、负载开关、多相控制器以及电机驱动等应用中。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：7.5A
RDS(on)（典型值，Vgs=10V）：8mΩ
栅极电荷（Qg，典型值）：13nC
输入电容（Ciss，典型值）：190pF
总电荷（Qoss，典型值）：33nC
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：SON-8 (DQFN)
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
CSD23381F4 具有低导通电阻 RDS(on)，从而降低了导通损耗，提升了系统效率。
其低栅极电荷和输出电荷特性使得开关损耗显著减少，适合高频操作。
器件采用了 TI 的 NexFET 技术，具有更高的功率密度和更优的热性能。
封装体积小巧，便于在紧凑型设计中使用。
具有良好的雪崩能力和稳健的 ESD 性能，确保可靠运行。
支持宽范围的工作温度，满足严苛环境下的应用需求。
CSD23381F4 广泛应用于多种电源管理领域，包括但不限于：
同步降压转换器中的主开关或同步整流管。
负载开关和 FET 开关。
多相控制器中的功率级 MOSFET。
电机驱动和电池保护电路。
便携式电子设备中的高效电源管理方案。
工业自动化及通信基础设施中的功率转换模块。
CSD18506Q5A
CSD18508Q5A
CSD18510Q5A
