时间：2025/4/29 17:43:18
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DVMH28F/HB是一种高性能的MOSFET驱动器芯片，广泛应用于电机驱动、开关电源和DC-DC转换器等场景。该芯片集成了高侧和低侧驱动电路，能够有效驱动N沟道MOSFET，从而实现高效的功率转换。
其设计特别注重快速切换和低功耗，能够在高频应用中提供卓越的性能表现。此外，DVMH28F/HB还具有短路保护、过温保护等功能，确保在复杂工况下的可靠性。
供电电压：4.5V~20V
最大输出电流：1.5A
输入兼容CMOS/TTL：支持
工作温度范围：-40°C~125°C
封装形式：SOIC-8/DIP-8
DVMH28F/HB的主要特性包括：
1. 内置死区时间控制，防止高低侧直通。
2. 高速驱动能力，典型传播延迟小于50ns。
3. 提供欠压锁定功能，确保安全启动。
4. 具备强大的抗电磁干扰能力，适合工业环境。
5. 内部集成自举二极管，简化高侧驱动电路设计。
6. 支持高达1MHz的开关频率，满足高频应用需求。
7. 封装小巧，便于PCB布局与散热设计。
DVMH28F/HB适用于以下领域：
1. 无刷直流电机驱动（BLDC）
2. 开关电源（SMPS）
3. DC-DC转换器
4. LED驱动器
5. 电池管理系统（BMS）中的功率开关驱动
6. 智能家居设备中的功率调节模块
7. 工业自动化设备中的功率级控制
IR2110
IRS2003
STP12NF06
