时间：2025/8/1 2:37:26
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DV2R029N11E是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高频率的电源转换应用设计。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于DC-DC转换器、同步整流器以及电池管理系统等场景。DV2R029N11E采用了先进的沟槽式MOSFET技术，以提供更高的电流密度和更低的开关损耗。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：290A
最大漏-源电压：100V
最大栅-源电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：2.9mΩ（典型值）
栅极电荷：220nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：双D2PAK（带两个散热焊盘）
DV2R029N11E的主要特性包括超低导通电阻，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率；
此外，该器件具备高电流承载能力，能够支持高达290A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计；
DV2R029N11E还具有快速开关性能，减少了开关过程中的能量损耗，从而支持更高频率的运行，有助于减小外部电感和电容的尺寸；
该MOSFET采用高可靠性封装，具备良好的热管理能力，有助于在高温环境下维持稳定运行；
此外，其宽泛的工作温度范围使其能够在极端环境条件下正常工作，增强了系统的可靠性和耐用性。
DV2R029N11E广泛应用于各种电源管理与转换系统，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机控制器、工业电源以及电动汽车充电系统等；
在服务器电源和电信设备中，该器件有助于提升能效并降低运行温度；
在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，DV2R029N11E也能提供高效、稳定的功率控制解决方案；
此外，其优异的性能也使其成为高功率LED照明系统、不间断电源（UPS）及电动工具等应用的理想选择。
SiC440, IRFB4110, CSD17551Q5A
