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CDR31BP4R3BDZMAT 发布时间 时间:2025/5/23 14:42:38 查看 阅读:18

CDR31BP4R3BDZMAT是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高耐压和快速开关速度等特性,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  该芯片特别适合于需要高效能和稳定性的应用场合,例如工业设备、消费电子和汽车电子中的各种电源转换电路。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:38A
  导通电阻:4.3mΩ
  栅极电荷:97nC
  开关时间:开启时间25ns,关闭时间22ns
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

1. 超低导通电阻(4.3mΩ),有助于降低导通损耗并提升系统效率。
  2. 高额定电流(38A)和耐压值(60V),确保在高压和大电流条件下稳定运行。
  3. 快速开关速度(开启时间25ns,关闭时间22ns),减少开关损耗,适用于高频应用。
  4. 小型化封装设计,便于在紧凑空间内实现高效的功率管理。
  5. 工作温度范围广(-55℃至175℃),适应各种恶劣环境下的使用需求。
  6. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。

应用

CDR31BP4R3BDZMAT主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器,提供高效的电源管理方案。
  2. 电机驱动电路,用于控制各类直流电机和步进电机。
  3. 汽车电子系统,如电动助力转向系统(EPS)、电池管理系统(BMS)和逆变器等。
  4. 工业自动化设备,包括PLC控制器、伺服驱动器和机器人驱动模块。
  5. 消费电子产品中的充电器和适配器,提供快速充电功能。
  6. 光伏逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块。

替代型号

CDR31BP4R3BDZMATL,IRF3205,STP36NF06

CDR31BP4R3BDZMAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容4.3 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数BP
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率M(1%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"(1.30mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-